本周在火奴魯魯舉行的VLSI研討會上, 三星首次分享了基於EUV技術的7nm工藝細節.
EUV在半導體領域的應用已經研發了將近30年之久, 終於在2018年看到曙光, 三星稱風險試產年底啟動 . 考慮到風險試產到最終量產大約要維持1年的時間, 所以年底和明年初的Exynos和驍龍晶片將暫時無緣7nm EUV.
三星此前已經透露, 和高通在合作10nm的改良版8nm , 傳言首發會是驍龍730.
回到三星的7nm EUV (極紫外光刻) , 就是使用波長13.5nm的紫外線 (波長範圍是10~400nm) 取代現在的193nm ArF (氟化氬) 浸沒式光刻, 從而使得晶體管更加精密.
ArF光刻機ASML (阿斯麥) 和尼康都可以造, 但是功率250W的EUV光刻機, 全球就只有ASML (阿斯麥) 提供的NXE-3400.
技術指標方面, 三星7nm EUV的柵極間距是54nm, 鰭片間距是27nm, 前者居然只是Intel 10nm的水平.
相較目前10nm LPP的驍龍845, Exynos 9810, 三星7nm EUV的晶片面積將縮小40%.
不過, 三星稱, 新工藝晶體管的性能將比去年首秀時最多提升20%, 功耗最多下降50%.
另外, 7nm EUV的好處還在於, 比多重曝光的步驟要少, 也就是相同時間內的產量將提升. 當然, 這裡說的是最理想的情況, 比如更好的EUV薄膜以減少光罩的汙染, 自修正機制過關堪用等. 三星稱, 7nm EUV若最終成行, 將被證明是成本更優的方案.
如今, 三星已經生產出基於7nm EUV的SRAM測試晶片, 容量256Mb, 大小0.0262平方微米. 三星還透露, 基於7nm的四核CPU, 6核GPU都可以功能化運行了.
對手方面, 台積電號稱已經投產第一代7nm CLN7FF, 性能提升30%, 功耗降低60%. 不過, EUV需要等到CLN7FF+時導入, 所以理論上蘋果A12無緣.
GF的7nm LP指標是柵極間距56nm, 鰭片間距30nm, 性能提升40%, 功耗降低55%, 預計將用在AMD Zen2處理器上.
