本周在火奴鲁鲁举行的VLSI研讨会上, 三星首次分享了基于EUV技术的7nm工艺细节.
EUV在半导体领域的应用已经研发了将近30年之久, 终于在2018年看到曙光, 三星称风险试产年底启动 . 考虑到风险试产到最终量产大约要维持1年的时间, 所以年底和明年初的Exynos和骁龙芯片将暂时无缘7nm EUV.
三星此前已经透露, 和高通在合作10nm的改良版8nm , 传言首发会是骁龙730.
回到三星的7nm EUV (极紫外光刻) , 就是使用波长13.5nm的紫外线 (波长范围是10~400nm) 取代现在的193nm ArF (氟化氩) 浸没式光刻, 从而使得晶体管更加精密.
ArF光刻机ASML (阿斯麦) 和尼康都可以造, 但是功率250W的EUV光刻机, 全球就只有ASML (阿斯麦) 提供的NXE-3400.
技术指标方面, 三星7nm EUV的栅极间距是54nm, 鳍片间距是27nm, 前者居然只是Intel 10nm的水平.
相较目前10nm LPP的骁龙845, Exynos 9810, 三星7nm EUV的芯片面积将缩小40%.
不过, 三星称, 新工艺晶体管的性能将比去年首秀时最多提升20%, 功耗最多下降50%.
另外, 7nm EUV的好处还在于, 比多重曝光的步骤要少, 也就是相同时间内的产量将提升. 当然, 这里说的是最理想的情况, 比如更好的EUV薄膜以减少光罩的污染, 自修正机制过关堪用等. 三星称, 7nm EUV若最终成行, 将被证明是成本更优的方案.
如今, 三星已经生产出基于7nm EUV的SRAM测试芯片, 容量256Mb, 大小0.0262平方微米. 三星还透露, 基于7nm的四核CPU, 6核GPU都可以功能化运行了.
对手方面, 台积电号称已经投产第一代7nm CLN7FF, 性能提升30%, 功耗降低60%. 不过, EUV需要等到CLN7FF+时导入, 所以理论上苹果A12无缘.
GF的7nm LP指标是栅极间距56nm, 鳍片间距30nm, 性能提升40%, 功耗降低55%, 预计将用在AMD Zen2处理器上.
