作為DRAM晶片的龍頭企業, 三星目前已經能量產10nm級, 最大容量16Gb的LPDDR4記憶體, GDDR5顯存和DDR4記憶體等.
據Digitimes引述News1 Korea報道, 三星悄悄啟動了引入EUV (極紫外光) 光刻工藝的DRAM記憶體晶片研發, 基於1ynm.
報道稱, 三星最快在2020年開始大量投產使用EUV 1ynm製造的DRAM晶片.
EUV光刻目前被三星, 台積電, Intel等用於7nm工藝節點上, 製造的普遍是AP (應用處理器) . 三星曾表示, 7nm LPP工藝將在今年下半年量產, 明年上半年推出首款可商用的邏輯晶片.
結合手頭掌握的資料, 高通已經確認其5G基帶晶片將由三星的7nm代工.
