作为DRAM芯片的龙头企业, 三星目前已经能量产10nm级, 最大容量16Gb的LPDDR4内存, GDDR5显存和DDR4内存等.
据Digitimes引述News1 Korea报道, 三星悄悄启动了引入EUV (极紫外光) 光刻工艺的DRAM内存芯片研发, 基于1ynm.
报道称, 三星最快在2020年开始大量投产使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片.
EUV光刻目前被三星, 台积电, Intel等用于7nm工艺节点上, 制造的普遍是AP (应用处理器) . 三星曾表示, 7nm LPP工艺将在今年下半年量产, 明年上半年推出首款可商用的逻辑芯片.
结合手头掌握的资料, 高通已经确认其5G基带芯片将由三星的7nm代工.
