然而值得一提的是, 今年5月中國大陸突襲調查Samsung, SK Hynix, Micron等國際DRAM大廠, 調查內容主要涉及近年DRAM價格飆漲和業界反映的產品搭售問題, 名目雖是以反壟斷的名義約談, 但市場多認為中國大陸實質恐是希望在中國大陸存儲器廠即將量產的關鍵時刻, 期望國際三大存儲器廠能夠在專利的部分給予中國大陸廠商一些空間, 藉此換取談判的籌碼.
事實上, 中國大陸存儲器是否能於2018年底或2019年初正式進入量產並銷售的階段, 仍有待後續觀察, 畢竟目前DRAM及NAND Flash的專利都掌握在國際大廠手中, 況且累積數量可觀, 範圍廣泛的專利資產, 在沒有獲得授權技轉情況下很容易發生侵權; 況且存儲器製程推進速度快, 在沒有經驗的情況下, 要建立生產線並進入量產投片階段的難度大增; 此外, 中國大陸存儲器業者雖然嘗試透過延攬任職於其他公司的工程師, 帶來相關知識以提升技術, 但此做法有引發訴訟等各種問題的可能.
而中國大陸整合電路製造龍頭中芯國際方面, 估計持續位居2018年上半年全球晶圓代工第5名, 且市佔率由2017年的5.4%提升至5.9%, 主要是受惠於2018年第2季28納米產品組合回升至高個位數的佔比, 且存儲及CIS等產品訂單增量改善公司的產能利用率所致. 不過2018年下半年中芯國際面臨新增產能所需設備到位時間不確定, 同業擴產帶來的競爭壓力, 因此公司營收增速以及毛利率恐出現雙重回落的風險. 在未突破高階28奈米技術HKC+量產進程之前, 今年仍為中芯國際技術進階及業績壓力並存的過渡期.
整體來說, 5G, 物聯網, 人工智慧, 工業機器人, 智能穿戴式裝置等給中國大陸整合電路製造業帶來新的增長動力, 特別是中美貿易戰的中興通訊事件更加速與確立中國大陸發展半導體的決心, 官方也意識到整合電路產業是國民經濟中基礎性, 關鍵性和戰略性的產業, 整合電路產業的強弱是國家綜合實力強大與否的重要標誌. 為了不受制於人, 並且能分享未來新興領域的紅利, 發展自主整合電路已經成為中國大陸刻不容緩的首要之務; 不過短期內中國大陸整合電路製造業的發展重點, 仍繫於中芯國際與存儲器族群.