目前記憶體依儲存特性, 以斷電後數據是否消失可分為揮發性和非揮發性記憶體, 揮發性記憶體斷電後數據不能留存, 成本較高但是速度快, 通常用於數據暫存; 非揮發性記憶體訪問速度較慢, 但可長久保存數據.
靜態隨機存取記憶體(SRAM)與動態隨機存取記憶體(DRAM)常被大量使用在計算機系統及電子產品中, 做為數據暫存用之揮發性記憶體. DRAM目前以PC/NB與行動應用為主, 但在支援虛擬化, 繪圖及其他複雜, 即時工作應用上也將逐年增加. DRAM從80年代前全球超過20家公司製造, 目前只剩三星 (Samsung) , SK海力士 (SK Hynix) 與美光 (Micron) 等三家寡佔市場, 應用種類從主要PC類擴及消費性電子 (如 iPod) , 手機, 平板計算機, 穿戴裝置, 智能汽車, 無人駕駛車對 DRAM的需求也愈來愈高.
只讀存儲器 (ROM) 或可擦寫式記憶體如傳統機械式硬碟 (HDD) , 固態硬碟 (SSD) , 快閃記憶體 (Flash Memory) 等雖然有不同的讀寫特性, 但皆是在電源被切斷後仍可長時間保存數據. 其中Flash的操作速度與一般硬碟相比還是比較快, 所以逐漸成為主流.
Flash記憶體的架構和ROM可分為並聯式(NOR)跟串聯式(NAND), 並聯式快閃記憶體(NOR-Flash)常見於主板BIOS, 串聯式快閃記憶體(NAND-Flash) 常見於一般消費性電子產品, 如手機, 隨身碟, SSD等, NAND Flash隨著製程技術不斷進化, 單位容量成本不斷下降, 已在智能手機, 嵌入式裝置與工控應用大量普及, 近年來應用於大數據數據儲存及愈來愈多筆記型電腦的固態硬碟需求增加, 由NAND-Flash所製成的SSD有逐漸取代一般硬碟的趨勢. 主要廠商為三星, 東芝與SK海力士等.
DRAM及NAND Flash在特性與成本上具有互補性, 前者每秒傳輸頻寬大, 單位成本較高且消耗功率較大; 後者傳輸速度慢, 每單位成本較低且消耗功率低, 因此兩者在市場與功能上有區隔性, 也構成目前記憶體產品兩大陣營, 因應物聯網, 大數據與雲端等數據爆發性成長世代來臨, 記憶體不管是獨立或嵌入式, 都將是系統架構的關鍵組件.
展望2020年時, 全球記憶體市場規模為795.1億美元, 其中DRAM佔38.9%, NAND Flash佔55.1%, 下世代記憶體的佔比則躍升為2.0%.
然而, 由於主流記憶體DRAM與NAND在微縮製程上已出現瓶頸與影響, 因此找出替代性的解決方案或改變電路等, 以因應未來數據儲存需求, 將是目前記憶體產業最重要的議題.
開發下世代記憶體的三大衡量標準包括成本, 組件效能, 可微縮性與密度等, 其中成本需考慮記憶體顆粒, 模組與控制電路等總體; 組件效能則包含延遲時間, 可靠度, 數據保存耐久度等.
下世代的記憶體, 目前普遍朝向改變過去儲存電荷來存取數據的方式, 藉由改變儲存狀態機制解決製程上的限制, 另外, 低功耗為下世代記憶體甚至組件的共通目標. 台灣擁有全球最先進的製程及優秀組件與電路研發人才, 在記憶體研發站在相當有利的位置. 應把握優勢, 完善電子產業生態鏈, 避免受制於國外大廠對記憶體市場的壟斷, 在全球站穩地位, 保持台灣產業的競爭力. (作者是國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心研究員)
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