三星侵犯一大學FinFET專利 | 被判支付罰金4億美元

據彭博社北京時間6月16日報道, 德克薩斯州聯邦陪審團日前作出一項裁決, 三星電子因侵犯韓國技術學院 (Korea Advanced Institute of Science and Technology) 一項專利技術, 為此需向後者支付高達4億美元的賠償.

除三星外, 另外兩家晶片製造商——高通公司和GlobalFoundries公司也被發現侵犯了這項專利技術, 但上述兩家公司沒有被告知向韓國技術學院支付任何損害賠償.

據悉, 韓國技術學院曾發起訴訟, 指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術 (FinFET) 製程工藝相關的專利技術. 三星起初對韓國技術學院的研究不屑一顧, 認為該技術只是一種潮流技術. 但在其對手——英特爾公司開始向這項技術的發明者取得許可授權時, 圍繞三星是否侵權的力量博弈發生了改變. 隨著晶片產品製程的縮小, 鰭片晶體管技術能夠提高晶片性能, 同時降低晶片功耗.

作為全球最大的晶片製造商, 三星向陪審團表示, 它與韓國技術學院合作開發了這項技術, 並否認侵犯了相關專利技術. 三星還對這項專利的有效性提出了質疑.

三星的這一侵權行為被裁定為 '故意為之' , 或 '有意為之' , 這意味著法官可以將三星所需支付的賠償金額增加到陪審團規定的三倍.

這項技術被認為是生產智能手機處理器的關鍵. GlobalFoundries和三星利用了這一技術來製造晶片. 而作為最大的手機晶片製造商, 高通則是兩家公司的客戶. 上述公司對此判決提出了聯合辯護.

這一事件標誌著韓國頂級研究型科學與工程機構——韓國技術學院與三星這家對該國經濟至關重要的公司之間展開的衝突. 雙方律師均拒絕對判決發表評論.

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