1.EUV, 3nm, GAA首次亮相, 三星晶圓代工業務強勢進軍中國市場;
集微網消息, 為進一步提升在中國市場晶圓代工領域的競爭力, 6月14日, 三星電子在中國上海召開 '2018三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum 2018)' (SFF) , 這是SFF首次在中國舉行, 中國半導體市場的影響力可見一斑.
本次論壇上, 三星電子晶圓代工事業部戰略市場部部長, 副社長裵永昌帶領主要管理團隊, 介紹了晶圓代工事業部升級為獨立業務部門一年來的發展成果, 以及未來發展路線圖和服務, 首次發布了FinFET, GAA等晶體管構造與EUV曝光技術的使用計劃, 以及3納米晶片高端工藝的發展路線圖, 並提出合作方案, 以促進半導體業界實現美好願景和共同發展.
據介紹, 三星晶圓代工業務不僅在eFlash/PMIC/DDI/CIS/RF/IoT等產品定製型8英寸特種工藝和高端工藝等多個領域佔據領先地位, 還打造了具備實力的晶圓代工生態系統, 包括IP, EDA和設計服務支援, 並且有能力提供設計, 生產, 封裝, 測試等一站式服務. 三星表示, 對於中小型無廠晶圓企業而言, 和晶圓代工企業在生產和產品設計領域方面展開緊密合作, 具有重要的意義, 如果能與三星晶圓代工攜手, 則有望取得更大的成果.
裵永昌強調, 三星電子堅持技術創新, 以增強晶圓代工部門的市場競爭力, 今年有望在業界率先實現EUV技術的商用化.
他還表示, 以今年首次在華召開的三星晶圓代工論壇為起點, 三星電子晶圓代工事業部將加強與中國市場的溝通, 以提供差異化技術為基礎, 為中國市場量身打造晶圓代工解決方案, 成為中國無廠晶圓企業走向成功的合作夥伴.
三星電子認為中國市場對於發展新一代半導體行業具有重要意義, 計劃未來將以提供差異化技術為基礎, 為中國市場量身打造晶圓代工解決方案.
2.Intel 10nm工藝揭秘: 晶體管密度比肩台積電/三星7nm;
摘要: Intel 10nm工藝使用了第三代FinFET立體晶體管技術, 晶體管密度達到了每平方毫米1.008億個(符合官方宣稱), 是目前14nm的足足2.7倍!
集微網消息, 作為科技行業著名的 '牙膏廠' , 英特爾一直走在所有廠商前面. 因為它的10nm製程已經跳票三年之久, 每當一款新的處理器發布, 眾人翹首以待10nm的到來, 可英特爾還是給用戶潑冷水, 繼續跳票10nm工藝.
對於很多用戶而言, 都在疑問為何英特爾一直跳票10nm呢? 因為相比起同期的台積電, 三星等廠商, 10nm工藝早已經量產上市, 並已推出蘋果A11, Exynos 9810等晶片, 而作為PC領域中的大哥人物, 為何英特爾跟不上潮流的發展呢? 而今天, 外媒TechInsight就給出了一份滿意的答覆.
目前, Intel 10nm處理器已經小批量出貨, 已知產品只有一款低壓低功耗的Core i3-8121U, 由聯想IdeaPad 330筆記本首發.
TechInsight分析了這顆處理器, 獲得了一些驚人的發現, 直接證實了Intel新工藝的先進性.
分析發現, Intel 10nm工藝使用了第三代FinFET立體晶體管技術, 晶體管密度達到了每平方毫米1.008億個(符合官方宣稱), 是目前14nm的足足2.7倍!
作為對比, 三星10nm工藝晶體管密度不過每平方毫米5510萬個, 僅相當於Intel的一半多, 7nm則是每平方毫米1.0123億個, 勉強高過Intel 10nm.
至於台積電, GF兩家的7nm, 晶體管密度比三星還要低一些.
換言之, 僅晶體管整合度而言, Intel 10nm的確和對手的7nm站在同一檔次上, 甚至還要更好!
另外, Intel 10nm的最小柵極間距(Gate Pitch)從70nm縮小到54nm, 最小金屬間距(Metal Pitch)從52nm縮小到36nm, 同樣遠勝對手.
事實上與現有其他10nm以及未來的7nm相比, Intel 10nm擁有最好的間距縮小指標.
Intel 10nm的其他亮點還有:
- BEOL後端工藝中首次使用了金屬銅, 釕(Ru), 後者是一種貴金屬
- BEOL後端和接觸位上首次使用自對齊曝光方案(self-aligned patterning scheme)
- 6.2-Track高密度庫實現超級縮放(Hyperscaling)
- Cell級別的COAG(Contact on active gate)技術
當然了, 技術指標再先進, 最終也要轉換成有競爭力的產品才算數. (校對/茅茅)
3.張忠謀: 未來10年台積電依舊領先大陸5-7年;
台積電創辦人張忠謀退休後今天首度公開露面, 在歐洲商會午餐會場合發表演講, 直指樂觀看待未來半導體, 未來10年半導體產業的成長有望超過全球GDP增速.
歐洲在台商務協會 (ECCT) 今天舉辦午餐會, 特別邀請長期友好關係的台積電創辦人張忠謀分享經驗.
歐商會員詢問張忠謀如何看待未來半導體產業的發展, 張忠謀有信心地說, 他很樂觀看待未來半導體產業的發展, 認為半導體重要性幾乎會等同於麵包, 馬鈴薯, 成長相當快速.
張忠謀預估, 未來10年, 全球GDP成長率平均約會落在3%上下, 然而半導體產業成長率或許會更好, 也許會達到5%.
張忠謀也期許台積電持續保持競爭力, 甚至成長率可超過5%的水準.
也有會員詢問, 中國半導體產業來勢洶洶, 台灣會不會被追過; 張忠謀回應, 上周股東會時也有人問過一樣的問題, 他維持一樣的看法, 雖然中國大陸未來5到10年半導體產業會有相當大的進步, 但台積電也同樣持續發展, 因此兩者間的落差並不會縮小, 台積電還是會領先中國大陸技術5到7年的時間. 中央社
4.華虹半導體深耕MCU市場 類比IP組合來助力;
集微網消息, 華虹半導體今日宣布, 基於0.11微米超低漏電嵌入式快閃記憶體技術平台 (0.11 μm Ultra Low Leakage eNVM Platform, 以下簡稱「0.11μm ULL平台」) , 華虹半導體自主研發了超低功耗類比IP, 包括時鐘管理 (Clock Management) , 電源管理 (Energy Management) , 模數轉換(Analog Digital Converter)等, 這些IP通過了矽驗證並已經量產, 幫助客戶設計低功耗, 高性價比, 高精度等各類MCU, 將助力公司拓展MCU市場.
在時鐘管理IP方面, 華虹半導體開發了RCOSC, RTC和PLL三大類IP. 高精度OSC內置了補償電路, -40℃~125℃溫度範圍內精度達到+/-2%, 面積為0.02mm2. 低功耗32KHz RCOSC的工作電流低至160nA. 低成本16MHz RCOSC面積僅0.004mm2, 工作電流僅為16μA. 即時時鐘RTC中, 提供1Hz輸出, 無需外置電容, 有效降低了成本. 低抖動的PLL隨機雜訊抖動小於25ps, 輸出60M到500MHz等多種頻率.
在電源管理IP方面, 內置BGR的LDO在等待模式下電流為300nA, 從等待模式切換到工作模式僅需2.5μS, 大大縮減正常工作模式的準備時間. 外部POR釋放電壓1.0V~1.52V, 保障了電路的可靠性及穩定性. 此外, VDT/LDT/TDT等各種訊號報警類比IP, 為穩定MCU晶片的電壓, 電流基準, 檢測電壓, 溫度及晶片安全提供了有效保障.
在訊號轉換IP方面, 華虹半導體提供高精度的10位, 12位SAR ADC. 最新推出的12-Bit SAR ADC擁有高達2MSPS的採樣率, 面積僅0.2mm2, 支援單端和差分輸入模式. 在電源電壓3.3V, 採樣率2MSPS的情況下, 訊號雜訊失真比SNDR為70dB, 完美結合了多通道, 高精度, 低功耗, 小面積等特性, 是高性能MCU的理想選擇.
物聯網, 雲計算, 智慧城市, 虛擬實境 (VR) 等新興市場, 促使各類MCU晶片需求劇增. 華虹半導體的多種類比IP可靈活匹配8位及32位MCU需求, 並以其高品質和高可靠性, 有效助力客戶在物聯網 (IoT) , 資訊安全, 可穿戴產品以及工業控制和汽車電子市場中提升競爭力.
華虹半導體執行副總裁孔蔚然表示: 「一系列面向MCU的類比IP向業界展現了華虹半導體的自主創新實力, 縮短了客戶的晶片開發周期, 為我們的MCU客戶提供了強有力的支援. 」
5.解決半導體人才缺乏問題, 台灣擬 '挖角' 大陸工程師;
台積電5納米廠正積極興建中, 3納米廠也會接續在台南建廠並如期量產. 台灣有世界最先進的半導體製程, 勢必需要更多世界一流工程師加入台灣半導體產業的行列. 產業界曾向政府建議開放大陸籍工程師來台工作, 13日獲科技部長陳良基正面回應. 陳良基表示, 政府已經提出 '新經濟移民法' 草案, 希望世界上有創意的優秀人才到台灣, 而未來政府也會開放大陸具半導體研發和製造專業的人才到台灣工作, 解決產業界遇到的人才不足的問題. 過去10年來, 大陸積極發展半導體產業, 透過挖角等方式吸引台灣人才, 造成台灣人才單向流動, 外界甚至以 '失血' 來形容台灣人才遭大陸磁吸的不利狀況. 如今大陸廠商在IC設計方面已取得傲人的成果, 唯獨在整合電路製造上仍趕不上台灣的技術, 而且在獲利能力上亦遠遜於台灣半導體廠商. 台灣規模愈來愈大的半導體業界希望根留台灣, 不過水, 電, 土地, 人才等問題都需要政府提供協助. 其中開放大陸人才為台廠所用, 啟動兩岸人才的雙向流動更是業界關心的重點. 台積電總裁魏哲家也表示, 半導體會從無所不在變成無所不能, 台灣需要更多人才加入這個產業. 科技部長陳良基表示, 6月的旱象即將因為西南氣流而大幅改善. 由於政府在基礎建設投入相當多的經費, 到2027年台灣的儲水量可望增加2倍, 產業界不需擔心. 至於電力供給部分, 新電力基礎設備在2019年可以完成, 後續對台灣產業而言, 電力絕不會成為產業發展的瓶頸. 在產業人才部分, 由於台灣面臨嚴重的高齡化和少子化危機, 因此政府已提出 '新經濟移民法' 草案, 鼓勵更多具技能與專業知識者移民到台灣. 希望吸納更多元的人才到台灣的產業界. 而且美國移民法規趨嚴, 台灣有世界級的半導體產業, 對印度等地具創意的人才而言, 是發揮專長很好的舞台. 至於較敏感的大陸籍工程師部分, 過去業界對於大陸留美的工程師或大陸籍工程師均有接觸, 台灣廠商觀察大陸工程師的能力亦相當優秀, 不過礙於政府政策, 並未允許進入台灣工作. 不過陳良基表示, 未來政府會開放讓大陸工程師來台工作, 解決台灣半導體產業面臨的人才荒問題. 陳良基強調, 台灣半導體未來至少還有20年要繼續努力, 產業發展環境至關重要, 政府一定會支援產業界. 除了最基本的水, 電, 土地之外, 鼓勵台灣學術界, 法人研究機構培育產業所需的人才也是一種作法. 至於技職體系的學生, 政府也要做改變, 使其能符合產業實際的需求. DIGITIMES
6.聯電開啟史上最大價格漲幅 和艦廠產能將擴至7萬片
聯電8英寸晶圓代工產能供不應求, 近期正式漲價, 旗下8英寸廠和艦並將啟動三年多來最大規模擴產, 幅度達15%. 業界透露, 聯電這次采 '一次漲足' , 漲幅達二成, 漲幅前所未見, 加上大動作擴充和艦產能, 透露對後市看好.
聯電12日舉行股東會, 財務長劉啟東會後證實, 已啟動 '一次性漲價' , 主要考量全球8英寸晶圓代工產能吃緊, 加上先前上遊矽晶圓材料不斷漲價, 以反映市場機制與成本波動.
聯電目前產能利用率約95%, 整體訂單能見度約2至3個月, 4, 5月營收均符合預期, 本季營運平穩. 該公司去年營收新台幣1,492億元, 創新高, 預期今年全球半導體市場年增率可逾10%. 儘管目前聯電仍處於調整體質及產品線階段, 使得今年成長力道可能低於整體市場, 但仍預期可個位數成長, 再寫新猷.
據了解, 隨著驅動晶片, 指紋識別, 電源管理, MOSFET, 微控制器 (MCU) 等晶片需求強勁, 帶來大量8英寸晶圓代工產能需求, 但目前全球晶圓廠都朝12英寸發展, 最先進的製程也都在12英寸廠生產, 8英寸廠以成熟製程為主, 近年已無新廠加入, 但驅動晶片等仍採用成熟製程生產的晶片需求強勁, 導致全球8英寸晶圓代工廠產線塞爆, 呈現供不應求盛況.
劉啟東說明, 此次漲價原因有二, 首先, 晶圓代工最重要的上遊材料矽晶圓供貨吃緊, 價格頻頻上漲, 聯電雖與供應商簽有長期供貨合約, 矽晶圓供貨無虞, 但矽晶圓價格上漲, 也導致聯電成本提高.
其次, 今年以來, 陸續有同業調漲8英寸晶圓代工價格, 但聯電先前都沒有動作, 隨著矽晶圓價格節節高升, 聯電為反映市場機制與成本波動, 近期正式調整價格, 而且是 '一次漲足' .
劉啟東不願透露 '一次漲足' 的漲價幅度, 業界以今年以來其他同業累計漲幅, 以及反映矽晶圓漲價導致的成本上升空間估算, 聯電此次漲幅可能達到約二成, 與過往產能吃緊, 漲幅普遍落在3%, 5%相較, 此次堪稱 '史上最大漲幅' .
因應客戶強勁需求, 劉啟東表示, 聯電台灣8英寸廠已沒有空間再擴產, 將啟動8英寸廠和艦擴產計劃, 預計月產能由目前的6萬片提升至7萬片, 增幅逾15%, 明年第2季完成.
聯電強調, 近年全球8英寸晶圓代工市場需求熱絡, 此次擴產, 是考量中長期市場供需狀況後才拍板. 這是和艦近三年多以來, 首次大動作擴產. 經濟日報