5G連接涉及頻譜擴展, 更高階位調製, 載波聚合, 全維波束賦形等關鍵技術, 因此需要擴大技術基礎才能支援增強移動寬頻連接. 根據頻譜使用情況和網路佔位空間, 實施 '多輸入多輸出' (MIMO)技術需採用四根(4TX)發射天線到64根甚至更多天線. 5G網路的未來將取決於GaN和Si-LDMOS技術, 而恩智浦一直身處射頻功率放大器開發的前沿.
'恩智浦於1992年推出全球首款LDMOS產品, 此後25年一直處於領導地位. 現在, 恩智浦依託成功的曆史經驗, 以行業領先的GaN技術鞏固了自己的射頻領導地位, 為蜂窩移動應用提供出色的線性效率, ' 恩智浦資深副總裁兼射頻功率事業部總經理Paul Hart表示, '憑藉出色的供應鏈, 全球應用支援和行業內出色的設計專業知識, 恩智浦已成為5G解決方案領先的射頻合作夥伴. '
在IMS 2018展會上, 恩智浦推出全新射頻GaN寬頻功率晶體管, 擴展其適用於宏蜂窩和戶外小型基站解決方案的Airfast第三代Si-LDMOS產品組合. 新產品包括: -A3G22H400-04S: 這款GaN產品非常適合40 W基站, 效率高達56.5%, 增益為15.4 dB覆蓋從1800 MHz 到2200 Mhz的蜂窩頻段. -A3G35H100-04S: 這款GaN產品提供43.8%的效率和14 dB的增益, 可在3.5 GHz下實現16 TX MIMO解決方案. -A3T18H400W23S: 這款Si-LDMOS產品以1.8 GHz的頻率領跑5G時代, Doherty效率高達53.4%, 增益為17.1 dB. -A3T21H456W23S: 這款解決方案覆蓋從2.11 GHz到2.2 GHz的全部90 MHz頻帶, 體現了恩智浦Si-LDMOS產品出色的效率, 射頻功率和訊號頻寬性能. -A3I20D040WN: 在恩智浦整合式超寬頻LDMOS產品系列中, 這款解決方案提供46.5 dBm的峰值功率, 365 MHz的頻寬以及32 dB的AB級性能增益, 在10 dB OBO時的效率達18%. -A2I09VD030N: 這款產品具有46 dBm的峰值功率, AB級性能增益為34.5 dB, 在10 dB OBO時的效率為20%. 這款產品的射頻頻寬為575 MHz至960 MHz.
恩智浦提供豐富多樣的射頻功率技術產品, 涵蓋GaN, 矽-LDMOS, SiGe和GaAs, 支援覆蓋頻率和功率頻譜和多種整合度的5G產品. 恩智浦不僅提供廣泛的選擇, 構建數字計算產品, 還支援基帶處理應用, 是端到端5G解決方案獨特的供應商.