5G连接涉及频谱扩展, 更高阶位调制, 载波聚合, 全维波束赋形等关键技术, 因此需要扩大技术基础才能支持增强移动宽带连接. 根据频谱使用情况和网络占位空间, 实施 '多输入多输出' (MIMO)技术需采用四根(4TX)发射天线到64根甚至更多天线. 5G网络的未来将取决于GaN和Si-LDMOS技术, 而恩智浦一直身处射频功率放大器开发的前沿.
'恩智浦于1992年推出全球首款LDMOS产品, 此后25年一直处于领导地位. 现在, 恩智浦依托成功的历史经验, 以行业领先的GaN技术巩固了自己的射频领导地位, 为蜂窝移动应用提供出色的线性效率, ' 恩智浦资深副总裁兼射频功率事业部总经理Paul Hart表示, '凭借出色的供应链, 全球应用支持和行业内出色的设计专业知识, 恩智浦已成为5G解决方案领先的射频合作伙伴. '
在IMS 2018展会上, 恩智浦推出全新射频GaN宽带功率晶体管, 扩展其适用于宏蜂窝和户外小型基站解决方案的Airfast第三代Si-LDMOS产品组合. 新产品包括: -A3G22H400-04S: 这款GaN产品非常适合40 W基站, 效率高达56.5%, 增益为15.4 dB覆盖从1800 MHz 到2200 Mhz的蜂窝频段. -A3G35H100-04S: 这款GaN产品提供43.8%的效率和14 dB的增益, 可在3.5 GHz下实现16 TX MIMO解决方案. -A3T18H400W23S: 这款Si-LDMOS产品以1.8 GHz的频率领跑5G时代, Doherty效率高达53.4%, 增益为17.1 dB. -A3T21H456W23S: 这款解决方案覆盖从2.11 GHz到2.2 GHz的全部90 MHz频带, 体现了恩智浦Si-LDMOS产品出色的效率, 射频功率和信号带宽性能. -A3I20D040WN: 在恩智浦集成式超宽带LDMOS产品系列中, 这款解决方案提供46.5 dBm的峰值功率, 365 MHz的带宽以及32 dB的AB级性能增益, 在10 dB OBO时的效率达18%. -A2I09VD030N: 这款产品具有46 dBm的峰值功率, AB级性能增益为34.5 dB, 在10 dB OBO时的效率为20%. 这款产品的射频带宽为575 MHz至960 MHz.
恩智浦提供丰富多样的射频功率技术产品, 涵盖GaN, 硅-LDMOS, SiGe和GaAs, 支持覆盖频率和功率频谱和多种集成度的5G产品. 恩智浦不仅提供广泛的选择, 构建数字计算产品, 还支持基带处理应用, 是端到端5G解决方案独特的供应商.