SiC技術提供比矽器件更佳的開關性能和更高的可靠性. SiC二極體沒有反向恢複電流, 開關性能與溫度無關. 極佳的熱性能, 增加的功率密度和降低的電磁幹擾 (EMI) , 減小的系統尺寸和降低的成本使SiC成為越來越多的高性能汽車應用的極佳選擇.
安森美半導體的新的SiC二極體採用流行的表面貼裝和通孔封裝, 包括TO-247, D2PAK和DPAK. FFSHx0120 1200伏特(V)第一代器件和FFSHx065 650 V 第二代器件提供零反向恢複, 低正向電壓, 與溫度無關的電流穩定性, 極低漏電流, 高浪湧電容和正溫度係數. 它們提供更高的能效, 而更快的恢複則提高了開關速度, 從而減小了所需的磁性元件的尺寸.
為了滿足強固性要求, 並在汽車應用惡劣的電氣環境中可靠地工作, 二極體的設計能夠承受大的浪湧電流. 它們還包含一種提高可靠性和增強穩定性的獨特專利終端結構. 工作溫度範圍為-55℃至175℃.
安森美半導體高級總監Fabio Necco說: '安森美半導體推出符合AEC車規的器件, 擴展了肖特基二極體系列, 為汽車應用帶來SiC技術的顯著優勢, 使客戶能夠達到這一行業對性能的嚴苛要求. SiC技術非常適用於汽車環境, 提供更高的能效, 更快的開關, 更好的熱性能和更高的強固性. 在講究節省空間和重量的領域, SiC更高的功率密度有助於減少整體方案的尺寸, 以及更小的磁性器件帶來的相關優勢, 受客戶所歡迎. '
安森美半導體將在PCIM期間展示這些新的器件以及公司在寬禁帶, 汽車, 電機控制, USB-C供電, LED照明等領域的方案和用於工業預測性維護應用的智能無源感測器(SPS).
安森美半導體還將展示領先行業的先進SPICE模型, 該模型易於受到程序參數和電路布局擾動的影響, 因此相對於當前行業建模能力是一大進步. 使用該工具, 電路設計人員可提早在模擬過程評估技術, 而無需經過昂貴和耗時的製造迭代. 安森美半導體強固的SPICE預測模型的另一個好處是它可連接到多種行業標準的模擬平台通信埠.