SiC技术提供比硅器件更佳的开关性能和更高的可靠性. SiC二极管没有反向恢复电流, 开关性能与温度无关. 极佳的热性能, 增加的功率密度和降低的电磁干扰 (EMI) , 减小的系统尺寸和降低的成本使SiC成为越来越多的高性能汽车应用的极佳选择.
安森美半导体的新的SiC二极管采用流行的表面贴装和通孔封装, 包括TO-247, D2PAK和DPAK. FFSHx0120 1200伏特(V)第一代器件和FFSHx065 650 V 第二代器件提供零反向恢复, 低正向电压, 与温度无关的电流稳定性, 极低漏电流, 高浪涌电容和正温度系数. 它们提供更高的能效, 而更快的恢复则提高了开关速度, 从而减小了所需的磁性元件的尺寸.
为了满足强固性要求, 并在汽车应用恶劣的电气环境中可靠地工作, 二极管的设计能够承受大的浪涌电流. 它们还包含一种提高可靠性和增强稳定性的独特专利终端结构. 工作温度范围为-55℃至175℃.
安森美半导体高级总监Fabio Necco说: '安森美半导体推出符合AEC车规的器件, 扩展了肖特基二极管系列, 为汽车应用带来SiC技术的显著优势, 使客户能够达到这一行业对性能的严苛要求. SiC技术非常适用于汽车环境, 提供更高的能效, 更快的开关, 更好的热性能和更高的强固性. 在讲究节省空间和重量的领域, SiC更高的功率密度有助于减少整体方案的尺寸, 以及更小的磁性器件带来的相关优势, 受客户所欢迎. '
安森美半导体将在PCIM期间展示这些新的器件以及公司在宽禁带, 汽车, 电机控制, USB-C供电, LED照明等领域的方案和用于工业预测性维护应用的智能无源传感器(SPS).
安森美半导体还将展示领先行业的先进SPICE模型, 该模型易于受到程序参数和电路布局扰动的影响, 因此相对于当前行业建模能力是一大进步. 使用该工具, 电路设计人员可提早在仿真过程评估技术, 而无需经过昂贵和耗时的制造迭代. 安森美半导体强固的SPICE预测模型的另一个好处是它可连接到多种行业标准的仿真平台端口.