Intel和美光大方宣告進軍QLC快閃記憶體, 從結構原理上講, QLC快閃記憶體每單元可以保存4比特數據, 相比TLC又多了三分之一, 不過PE只有1000次, 是TLC的1/3.
當然, 其好處是存儲晶片的容量顯著提升, 也就是同容量對比TLC將有著足夠競爭力的價格優勢.
在今天的存儲活動中, Intel除了帶來傲騰DC非易失性DDR4記憶體條產品, 還公布了QLC SSD的更多進展.
Intel透露, 將在下半年面向消費級推出QLC SSD. 從此前的爆料來看, 可能會叫660p, 採用M.2板型, 走PCIe x2通道, 最大容量2TB.
圖為DC P4510
企業級領域, Intel的進展就更快了, 包括將2.5寸QLC快閃記憶體SSD做到了20TB大小 . 看起來這應該是15mm厚的U.2介面NVMe產品, 最終定位在DC P4510以下, 後者目前提供8TB U.2介面的產品.
據悉, Intel自營的所有3D快閃記憶體生產如今都在大連Fab 68工廠完成, 位於猶他的IM (Intel/Micron) Fab2則是全力生產3D Xpoint存儲晶片.
