Intel和美光大方宣告进军QLC闪存, 从结构原理上讲, QLC闪存每单元可以保存4比特数据, 相比TLC又多了三分之一, 不过PE只有1000次, 是TLC的1/3.
当然, 其好处是存储芯片的容量显著提升, 也就是同容量对比TLC将有着足够竞争力的价格优势.
在今天的存储活动中, Intel除了带来傲腾DC非易失性DDR4内存条产品, 还公布了QLC SSD的更多进展.
Intel透露, 将在下半年面向消费级推出QLC SSD. 从此前的爆料来看, 可能会叫660p, 采用M.2板型, 走PCIe x2通道, 最大容量2TB.
图为DC P4510
企业级领域, Intel的进展就更快了, 包括将2.5寸QLC闪存SSD做到了20TB大小 . 看起来这应该是15mm厚的U.2接口NVMe产品, 最终定位在DC P4510以下, 后者目前提供8TB U.2接口的产品.
据悉, Intel自营的所有3D闪存生产如今都在大连Fab 68工厂完成, 位于犹他的IM (Intel/Micron) Fab2则是全力生产3D Xpoint存储芯片.
