【涨价】难挡晶圆代工涨价潮, 芯片厂商利润受压缩;

1.硅晶圆涨价趋势仍将延续, 晶圆代工厂毛利率恐受影响; 2.难挡晶圆代工涨价潮, 芯片厂商利润受压缩; 3.3D NAND市场 '战火' 不断, 140层还会远吗? 4.中国不满DRAM涨太凶, 传代陆厂向三星, SK海力士杀价; 5.DRAM/NAND存储器需求持续增温 南亚科, 旺宏业绩看好; 6.半导体设备需求旺 京鼎昆山厂添购设备扩充产能; 7.人工智能商机 2030达15.7万亿美元;

1.硅晶圆涨价趋势仍将延续, 晶圆代工厂毛利率恐受影响;

集微网综合报道, 过去10年, 半导体硅晶圆因供过于求, 使得价格不断走跌. 但从2017年初起, 情势出现大反转, 供不应求推升硅晶圆的报价逐季飙涨. 展望未来, 随着三星等国际晶圆大厂产能持续扩充, 以及长江存储等大陆厂商将在2019年上半年陆续量产, 硅晶圆报价呈现续涨走势, 硅晶圆厂商的订单已延续至2020年.

据了解, 2017年初起硅晶圆供不应求, 推升整体报价涨幅约达20%. 而硅晶圆涨价的主要原因体现在两个方面, 一方面是车联网, 物联网, 存储, AI和比特币等应用的爆发, 推升半导体需求大增; 另一方面是全球前五大厂商并未有扩充产能的计划, 使得硅晶圆市况由生产过剩转为供不应求, 带动报价大幅走高.

值得注意的是, 受到硅晶圆逐季涨价冲击, 晶圆代工厂的毛利率将受到影响. 其中, 台积电先前曾表示, 因已签定年度合约, 2017年受硅晶圆涨价影响较小, 约影响毛利率0.2个百分点, 但2018年价格续涨, 影响可能扩大至0.5~1个百分点. 市场预期, 一线大厂因签年度长约, 目前涨价影响较小, 但2019年重新议价后, 毛利率减损恐会扩大, 而二线厂GlobalFoundries, 世界先进, 联电, 中芯, 以及大陆长江存储等多家厂商受创程度恐超乎预期.

大陆地区新建晶圆厂将带动硅晶圆需求大增

目前在半导体硅晶圆市场, 国外巨头占据了主要的市场份额. 其中, 包括日本信越半导体, 日本胜高(SUMCO), 台环球晶, 德国Silitronic和南韩乐金(LG)在内的全球前五大厂商占据了硅晶圆 90% 的市场份额.

图片来源: 招商证券

全球第二大硅晶圆厂商日本胜高(SUMCO)此前表示, 在12英寸硅晶圆的部分, 预估2018年价格将如预期回升约20%(2018年Q4价格将较2016年Q4高出40%), 且预估2019年价格将持续回升, 当前顾客关心的重点在于确保能取得所需的数量, 且已开始就2021年以后的契约进行协商.

在8英寸的部分, 供应量增加有限, 今后恐长期呈现供需紧绷状态, 顾客对于采购8英寸硅晶圆的危机感更胜于12英寸产品; 在6英寸的部分, 当前供应不足情况显现, 价格虽回升, 不过中长期前景不明.

值得一提的是, 受惠于硅晶圆不断涨价趋势, SUMCO入股的台胜科的业绩表现十分亮眼. 据了解, 台胜科成立于1995年, 由台塑与SUMCO合资成立, 持股分别为38%, 46.95%, 主要生产8英寸及12英寸硅晶圆, 分别占营收比重为40%, 60%, 客户群为晶圆代工厂及存储器厂.

在台胜科近日举办的法说会上, 副总经理赵荣祥表示, 目前台胜科12英寸月产能为28万片, 8英寸月产能32万片, 硅晶圆需求持续畅旺, 台胜科会全力提高生产效率去瓶颈化, 估计2018年报价会有两位数的成长, 供需吃紧状况会至2020年, 价格也会一路上涨.

赵荣祥进一步指出, 台胜科订单能见度已至2020年, 主要动能来自大陆地区新建的晶圆厂产能将开出, 带动硅晶圆需求大增, 预估2017~2020年的需求量将大增1.35倍; 存储器厂方面, 目前正在进行扩建的包括: 海力士在无锡约扩建15万片月产能, 三星则在西安扩增10万片的月产能, 而合肥的睿力也将有新产能开出. 此外, 福建晋华和武汉长江存储虽然进度较预期慢, 但受到中美贸易战冲击, 大陆地区加快半导体发展, 福建晋华和长江存储已加速投产脚步, 未来月产能约4,000~5,000片, 持续朝1万片迈进.

国内12英寸, 8英寸硅片产能现状

硅片是晶圆厂最重要的上游原材料. 可以说, 上游晶圆硅片材料受制于人, 对迅速发展集成电路全产业的中国大陆来说也成为产业发展的桎梏.

据招商证券报告显示, 在12英寸硅片方面, 截止2017年11月, 我国12英寸硅片需求量为45万片 (包括三星西安, SK海力士无锡, 英特尔大连, 联芯厦门) , 随着晶合集成, 台积电南京和格芯成都的陆续投产, 加上紫光南京, 长鑫合肥, 晋华集成三大存储芯片厂的建成, 预估到2020年我国12英寸硅片月需求量为80-100万片.

图片来源: 招商证券

目前我国12英寸硅片主要依赖进口, 但规划中的月产能已经达到120万片, 后续如均能顺利量产, 可基本满足国内需求.

其中, 中环股份 (002129.SZ) 于2017年10月13日和无锡市签署《战略合作协议》, 共同在宜兴市建设集成电路用大硅片生产与制造项目. 项目总投资约30亿美元, 一期投资约15亿美元; 上海新阳 (300236.SZ) 参股的上海新升目前已经实现了挡片的批量供货, 正片也有小批量样片实现销售, 目前产能4-5万片/月, 预计2018年产能可达10万片/月; 重庆超硅的12英寸硅片开发进展也较为顺利.

而在8英寸硅片方面, 截止至2016年底, 我国具备8英寸硅片和外延片生产能力的公司合计月产能为23.3万片/月, 实际产能利用率不足50%, 2016年全年我国仅仅产出120万片8英寸硅片, 只满足国内的10%的需求. 从目前已经公布的产能来看, 8英寸硅片月产能已经达到140万片, 合计超过160万片, 远远超过我国8英寸硅晶圆的月需求80万片的规模.

2.难挡晶圆代工涨价潮, 芯片厂商利润受压缩;

集微网消息 (文/小北) 台积电向来看重与客户的合作关系, 晶圆代工报价追求平稳. 然而, 在上游晶圆成本上涨及8/12英寸晶圆产能紧缺的情况下, 台积电将进行晶圆代工价格上调. 作为全球晶圆代工老大, 代工价格向来缺乏讨价还价的空间. 据悉, 台积电8英寸晶圆产能短期内已无法满足客户需求; 此外, 台积电将于下半年导入苹果处理器订单, 这将占据绝大多数台积电先进制程产能.

向台积电看齐, 二线晶圆代工厂酝酿上调报价 今年, 物联网, 车用电子订单全面涌向8英寸晶圆厂, 导致8英寸晶圆代工产能明显供不应求. 台积电以外的二线晶圆代工同样遇到上游晶圆成本上涨, 产能供不应求的情况, 因此纷纷向台积电看齐, 酝酿上调晶圆代工报价.

据悉, 中国本土及台湾地区二线晶圆代工厂已正式向芯片客户下达2018下半年涨价通知. 台湾IC设计公司透露, 第3季度8英寸晶圆代工报价恐上涨20~30%, 除了VIP客户外, 多数芯片厂商只能接受涨价.

值得注意的是, 二线晶圆代工厂为何集体推动本次价格上涨呢? 因为在涨价潮中, 二线晶圆代工厂的受益程度是高于台积电等一线晶圆代工厂的. 这个可以从两个维度来解释, 一方面, 晶圆代工需求旺盛, 部分订单不得不选择从一线晶圆代工厂向二线晶圆代工厂转移; 另一方面, 晶圆代工价格上涨幅度将高于原材料等上游成本上涨幅度, 二线晶圆代工厂集体推动这次涨价, 下游客户只能接受涨价. 业内专家表示, 联电, 中芯及华虹将是本次晶圆代工涨价潮中的主要受惠者.

晶圆代工涨价, 下游芯片厂商承压 按照往常经验, 晶圆代工成本的上涨可顺势转移给下游芯片厂商, 推动芯片涨价. 然而, 在这波涨价潮中, 下游芯片厂商可能无法消化并吸收上游涨价带来的芯片涨价动能.

按照惯例, 对于IC芯片公司而言, 只要客户不要求每季度芯片价格下降5~10%, 则上游成本增加带来压力, 都是很容易吸收的. 对于一线IC芯片公司, 甚至可以采取顺势涨价的策略, 将成本上涨转移到下游客户身上.

中国本土IC设计厂商与台湾地区IC设计厂商正在疯狂抢夺市场. 若台湾IC设计厂商采取顺势涨价的策略, 将成本上涨的压力转移给下游客户, 很可能失去绝大多数大陆客户. 因此, 面对着这次上游成本涨价潮, 台湾IC芯片公司很可能不采取涨价的策略, 并对2018年第3季度毛利率展望持保守态度.

据台湾LCD驱动IC大厂透露, 短期内8英寸晶圆代工产能明显不足, 公司已选择采用12英寸晶圆代工, 以缓解8英寸供应能力缺乏的情况, 但由于12英寸晶圆代工价格要高出20~30%, 因此将对公司毛利润产生一定影响, 后续将视情况与下游客户沟通, 希望可以将上涨的成本转移出去.

对于希望毛利润回归40%水平的联发科而言, 同样面临上游晶圆代工成本上涨的压力. 业内专家猜测, 鉴于联发科与高通及展讯展开猛烈厮杀的情况, 联发科很可能选择自身消化上游制造成本的增加, 而非选择提高芯片价格的策略. (校对/小北) 3.3D NAND市场 '战火' 不断, 140层还会远吗?

集微网消息 (文/Aki) , 市场对于3D NAND的需求有多大, 从这一市场的竞争激烈程度可见一斑!

2018年5月29日, 援引韩国媒体报道, 三星计划在2018年提升目前64层3D NAND产品的比重, 并与今年年内在华城, 平泽的工厂抢先量产96层3D NAND产品, 甚至还计划抢先竞争对手, 开始投入128层3D NAND的研发量产工作.

而三星的这一举动或将彻底的引燃本就 '战火' 不断的NAND Flash高层堆叠市场, 美, 日, 韩等多国的内存大厂都将参战, 市场竞争的激烈程度更是让人难以想象.

'战火' 不断的3D NAND Flash

2017年下半年是各大厂商3D NAND争相量产的时期.

三星开始量产64层3D NAND, 并利用新平泽工厂提高产量, 美光推进64层3D NAND也非常顺利, 东芝, 西部数据也从2017下半年开始量产64层3D NAND.

与此同时, 为了降低NAND Flash生产成本, 提升产品的竞争力, 美, 日, 韩等多国的内存大厂近期都在加速更高层堆叠以及QLC四比特单元存储产品的开发.

比如, 全球NAND Flash第二大厂东芝已于2017年6月与西数同时宣布, 采用BiCS4技术的96层3D NAND已完成研发. 现在, 随着东芝半导体事业出售案落下实锤, 业内普遍认为, 未来东芝将会在NAND Flash突飞猛进.

而美光与英特尔合作开发的NAND Flash产品, 也在最近传出了96层3D NAND研发顺利的消息.

至于SK海力士, 2017年7月, 就已经开始大规模生产72层 (第四代) 3D NAND闪存芯片. 虽然目前SK海力士在NAND Flash领域排名落后, 但是SK海力士也决定在2018年完成96层3D NAND产品研发.

140层 3D NAND层数还会远吗

在近日举行的国际存储研讨会2018 (IMW 2018) 上, 应用材料公司介绍了未来几年3D NAND的发展线路图. 其中提到, 预计到2020年, 3D存储堆叠可以做到120层甚至更高, 2021年可以达到140层以上, 是目前主流64层的两倍还多.

目前, 各家厂商都在3D NAND上加大力度研发, 尽可能提升自己闪存的存储密度.

正如之前所说, 东芝及西数已计划在今年大规模生产新的96层BiCS4 储存芯片, 三星也在发展QLC NAND 芯片, 将会在第五代NAND技术实现96层这一目标.

3D NAND技术在现在广泛被使用, 其设计与2D NAND 相反, 储存器单元不在一个平面内, 而是一个堆叠在另一层之上, 以这种方式每颗芯片的储存容量可以显著增加, 而不必增加芯片面积或者缩小单元, 使用3D NAND可以实现更大的结构和单元间隙, 这有利于增加产品的耐用性.

但是, 3D NAND技术也意味着, 增加存储空间就需要不断的增加堆叠层数. 而层数的增加也意味着对工艺, 材料的要求会提高, 要想达到140层堆叠就必须使用新的基础材料.

而且在堆叠层数增加的时候, 存储堆栈的高度也在增大, 然而每层的厚度却在缩小, 以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm, 层厚度大约70nm, 48层的闪存堆栈厚度为3.5μm, 层厚度减少到62nm, 现在的64/72层闪存堆栈厚度大约4.5μm, 每层厚度减少到60nm, 而到了140+层, 堆叠厚度将增至大约8微米, 每对堆叠层则必须压缩到45-50nm, 每升级一次堆栈厚度都会变成原来的1.8倍, 而层厚度会变成原来的0.86倍.

随着3D NAND层数不断提高, 其工艺难度可想而知!

QLC技术或将发力

事实上, 降低单位容量生产成本的方式, 还包括改善数据储存单元结构及控制器技术.

目前, 存储单元的结构类型分为以下几种: SLC, MLC , TLC , QLC.

SLC单比特单元 (每个Cell单元只储存1个数据) , 因为稳定, 所以性能最好, 寿命也最长 (理论可擦写10W次) , 成本也最高, 是最早的顶级颗粒. MLC双比特单元 (每个Cell单元储存2个数据) , 寿命 (理论可擦写1W次) , 成本在几种颗粒中算是均衡的.

TLC三比特单元 (每个Cell单元储存3个数据) , 成本低, 容量大, 但寿命越来越短 (理论可擦写1500次) , 是目前闪存颗粒中的最主流产品.

QLC四比特单元 (每个Cell单元储存4个数据) , 成本更低, 容量更大, 但寿命更短 (理论可擦写150次) , 想成为接替TLC的产品还急需解决很多问题.

不过, 最近美光与英特尔已经率先采用QLC技术, 生产容量高达1Tb, 堆叠数为64层的3D NAND, 目前该产品已用于SSD出货, 美光与英特尔强调, 此为业界首款高密度QLC NAND Flash.

而尽管三星已完成QLC技术研发, 但三星可能基于战略考量, 若是太快将其商用化, 当前产品价格恐将往下调降, 加上三星为NAND Flash与SSD市场领先者, 并没有急于将QLC商用化的理由. 至于东芝则表示, 计划在96层3D NAND产品采用QLC技术.

未来NAND Flash产品若采用可储存4四比特单元的QLC技术, 可望较TLC技术多储存约33%的数据量, 不过, 随着每一储存单元的储存数据量增加, 寿命亦将跟着降低, 为改善这方面的缺点, 内存厂商还需要克服很多难题! 4.中国不满DRAM涨太凶, 传代陆厂向三星, SK海力士杀价;

韩国两大存储器厂三星, SK海力士传被中国商务部旗下反垄断主管机关约谈, 且被要求对中国科技厂调降存储器售价.

韩国媒体KoreaTimes.com报导, 去年存储器价格飞涨不停, 大幅侵蚀中国智能手机, PC厂的利润, 中国政府要求三星与SK海力士降价显然为此而来. 据统计, 全球75%的DRAM供给掌握在三星, SK海力士的手里.

中国政府找韩国存储器双雄的碴, 背后还有其它动机, 推测应该与技术交叉授权有关. 熟知内情的人士指出, 尽管三星, SK海力士都在中国设厂, 但产品采用的技术落后韩国厂至少两个世代, 且极少交叉授权, 这让中国感到不满, 未来针对这方面应该还会有其它手段出台.

除三星与SK海力士之外, 美国存储器厂美光最近也传被中国反垄断主管机关约谈, 理由也与存储器价格有关. 据DRAMeXchange统计, 全球首季DRAM营收季增5.4%, 再度改写历史新高. 精实新闻

5.DRAM/NAND存储器需求持续增温 南亚科, 旺宏业绩看好;

随物联网时代来临, 数据中心, 高速传输的5G受重视, 研调单位指出, 协助运算处理的DRAM与资讯储存的NAND Flash等需求也持续增温, 南亚科 (2408) 日前表示, 今年DRAM市场仍供不应求, 带动存储器族群行情向上, 旺宏 (2337) 在权证市场同受关注, 昨 (29) 日登上成交金额之首.

南亚科昨日股价虽然收小黑, 小跌0.4% , 收在98.9元 (新台币, 后同) , 但获外资逆势敲进逾2,000张, 颇有逢低承接意味.

南亚科今年首季每股盈余 (EPS) 达2.39元, 随着DRAM市场仍持续供不应求, 对今年整体营运表现胸有成竹, 今年虽少了业外收益挹注, 但南亚科认为, 大环境有利于公司发展, 仍有信心缴出好成绩. 南亚科预期, 受惠20纳米产出增加, 产品稳定涨价, 营收可望逐月走高至下一季, 并将有机会改写新猷.

旺宏昨日股价小涨0.73% , 以48.6元作收, 成交量逾4.8万张, 并获投信买超700余张.

旺宏持续为盘面热门个股, 近一年来日成交量有万张以上水准, 更曾一度突破21万张, 交投火热非凡, 也使旺宏成为权证市场宠儿; 据券商统计与观察, 近两周出现类似去年外资买盘介入权证市场的现象, 旺宏即为其中大比例偏多操作之权证标的.

法人表示, 据以往年经验, 旺宏上半年常为营运淡季, 为今年首 季税后纯益18.82亿元, 年增翻逾8倍, EPS达1.06元, 也较去年同期大增逾7倍, 营运成绩相当亮眼.

法人指出, 旺宏今年55奈米NOR Flash出货动能转强, 本季中高容量NOR Flash价格也可望续涨. 工商时报

6.半导体设备需求旺 京鼎昆山厂添购设备扩充产能;

半导体设备厂京鼎 (3413) 昨 (29) 日召开股东常会, 通过今年每普通股配发6.5元股利. 京鼎董事长刘应光表示, 两岸半导体业积极扩产, 对半导体设备及备品需求畅旺, 今年营运仍有成长空间, 对景气抱持乐观看法. 再者, 对于鸿海集团将加强半导体布局一事, 刘应光认为, 在桦汉入股帆宣后, 未来与京鼎之间仍有很大的合作空间.

京鼎股东会昨日通过承认去年财报. 受惠于承接全球最大半导体设备厂代工订单, 加上设备备品出货出现倍数成长, 京鼎去年合并营收年增4.2% 达81.68亿元, 归属母公司税后净利年增50.6% 达13.63亿元, 同步改写历史新高, 每股净利13.63元.

京鼎股东会昨日也通过今年普通股配发6.5元股利, 其中包括6.0元现金股利及0.5元股票股利. 京鼎表示, 随着人工智能 (AI) , 虚拟及扩增实境 (VR/AR) , 物联网等应用快速发展, 引领半导体市场持续成长, SEMI预测2018年全球晶圆厂设备支出金额年增 11% , 上看630亿美元并创历史新高, 这也将带动设备产业与产值成长. 此外, 中国大陆近年来积极兴建12吋晶圆厂, 今年开始陆续进入装机阶段, 同样将同步带动设备支出增加.

京鼎因应半导体设备市况正向发展, 昆山厂添购设备扩充产能, 上半年已陆续投产, 产能效益将逐季涌现. 同时, 京鼎亦看好晶圆厂自动化的产业机会, 善用在自动化设备累积多年的光机电整合技术, 加上对于半导体制程的熟悉, 成功将现有自动化设备性能提升, 如控制晶圆制程环境防治微污染工程能力升级, 持续开发对应未来更先进的次世代奈米制程设备, 并推出主动式微污染防治完整解决方案系列产品, 已获晶圆代工龙头大厂采用.

京鼎第一季合并营收年增29.8% 达22.72亿元, 归属母公司税后净利达2.40亿元, 每股净利3.05元, 优于市场预期, 第二季营运可望维持高档. 刘应光表示, 京鼎今年营运仍有成长空间, 仍抱持乐观看法, 而未来几年大陆晶圆厂陆续投产, 将会为设备及备品市场带来更快的成长动能.

近期有关鸿海集团将扩大对半导体产业布局, 鸿海集团旗下桦汉宣布入股半导体厂务暨设备厂帆宣, 刘应光表示, 集团布局有一定的广度及深度考量, 京鼎与桦汉有良好沟通管道, 与帆宣几乎没有竞争及冲突点, 未来有很大合作空间. 工商时报

7.人工智能商机 2030达15.7万亿美元;

人工智能成为市场显学, 预估至2025年, 全球AI商机将达2,300亿美元, 以年复合成长率45% 高速成长, 2030年更有大幅跳增, 整体规模有机会暴冲至15.7兆美元, 并以车载, 医疗, 消费为主要3大应用市场.

富邦证券指出, AI投资应用蓬勃发展, 包括智能音箱, 人脸辨识, 自驾车等技术, 已陆续融入日常生活中, 逐渐改变未来产业结构及生态, 虽然目前主要AI核心技术掌握在美中两国手中, 不过AI技术落实需要运算芯片, 零组件, 系统组装等硬体代工厂配合, 台厂相关供应链也不会在此波趋势中缺席.

英特尔认为, AI技术应用在医学领域, 能够加速判断不同病症, 为此, 英特尔也举办演算法比赛, 希望能提前筛查出子宫颈癌, 再交由医院来进行做最后诊断及把关.

英特尔说, 推展AI医疗应用的关键因素在于从哪里取得资料, 以及由谁来参加比赛, Kaggle平台具有20万个以上的数据科学家集结, 共同目标是要找出优良的运算法, 以及寻找英特尔芯片可改善之处, 此外, 也跟阿里巴巴合作, 在中国大陆进行肺癌筛检, 透过电脑断层重建, 重新调整为3D画面辨识, 提高判读的正确性.

而心脏疾病位居目前人类死亡率榜首, 也是英特尔最重视的问题之一, 先前日本在心电检测设备上取得领先优势, 不过随着AI应用逐渐导入影像辨识功能, 中国大陆进而结合硬体与软体, 建立起新的商业模式, 能将检测数据从手机传到云端上, 借由人工智能辨识40种疾病提示, 再配合医院系统看诊, 形成一种完整的医疗服务.

AI收入 加值服务占55%

由此可见, 人工智能正在改变各产业的生态体系, 分析目前AI经营模式, 主要收入已转变为15% 来自软体, 30% 是硬体, 其他55% 都是由加值服务而产生, 创造更大现金流.

另在无人驾驶应用上, 市场预计10年内, 自驾车将在全球汽车市场占有一席之地, 人工智能将是其蓬勃发展的主要原因, 并推动高达1,270亿美元的无人驾驶汽车市场.

以nVidia为例, 目前已开发出专属于无人驾驶汽车的人工智能技术, 获得25家汽车制造商及科技公司下单, 提前开始布局相关市场应用.

而AI与物联网的连结, 一般都是透过云端进行数据分析, 但以云端传输速度来说, 对于自驾车的反应速度不够快, 因此需要一部介于云端跟家之间的Edge设备, 也就是边际运算的概念, 此设备可以放在工厂, 机房等地, 加快地区运算速度, 同时也会带起对终端设备的需求.

亚马逊, 谷歌为了布局AI在家庭消费应用, 分别推出了Echo系列与Alphabet语音助理, 进军智能扬声器市场, 且扩大用于电子商务平台的广告推销. 联想认为, 人工智能技术在各种终端用户垂直领域的应用数量不断增加, 尤其是改善对消费者服务, 是驱动AI市场成长的主要因素. 工商时报

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