西數(和東芝)的BiCS4技術採用96層堆疊設計, 可用來製造TLC, QLC NAND快閃記憶體顆粒.
根據西數去年的說法, 96層堆疊快閃記憶體初期用來製造3D TLC快閃記憶體, 單Die容量256Gb(32GB), 而在良品率足夠高之後, 會轉向更高容量的3D TLC, 並最終製造3D QLC, 容量可達1Tb(128GB).
西數和東芝去年還曾經宣布過單Die容量768Gb(96GB)的BiCS3 64層堆疊3D QLC快閃記憶體顆粒, 很可能會在96層QLC之前上市.
QLC快閃記憶體每單元可以保存4比特數據, 相比TLC又多了三分之一, 既有利於做大容量, 也有利於降低成本, 必然是快閃記憶體廠商們未來的重點, 哪怕它壽命和性能繼續大幅度下滑.
美光此前已經出貨了第一款基於QLC快閃記憶體的固態硬碟, 擦寫壽命只有區區1000次, 完全不適合頻繁寫入使用.
