西数(和东芝)的BiCS4技术采用96层堆叠设计, 可用来制造TLC, QLC NAND闪存颗粒.
根据西数去年的说法, 96层堆叠闪存初期用来制造3D TLC闪存, 单Die容量256Gb(32GB), 而在良品率足够高之后, 会转向更高容量的3D TLC, 并最终制造3D QLC, 容量可达1Tb(128GB).
西数和东芝去年还曾经宣布过单Die容量768Gb(96GB)的BiCS3 64层堆叠3D QLC闪存颗粒, 很可能会在96层QLC之前上市.
QLC闪存每单元可以保存4比特数据, 相比TLC又多了三分之一, 既有利于做大容量, 也有利于降低成本, 必然是闪存厂商们未来的重点, 哪怕它寿命和性能继续大幅度下滑.
美光此前已经出货了第一款基于QLC闪存的固态硬盘, 擦写寿命只有区区1000次, 完全不适合频繁写入使用.
