今天, 浙江大學公眾號發布消息稱, 浙大團隊研製新型存儲器, 面積只有目前電路器件的幾十分之一.
文中表示, 浙江大學資訊與電子工程學院和矽材料國家重點實驗室, 研發出了一種低成本, 低功耗的新型存儲器. 課題組利用鍺獨特的表面性質, 在鍺表面生長憶阻器材料, 形成一種新的器件, 研究人員稱之為 '記憶二極體' .
官方稱, 這項基於可工業化生產的半導體整合電路製造工藝的工作, 或將大幅提高數據交換速度, 為降低網路晶片製造成本提供解決方案.
同時, 這種新型存儲器可為數據 '打上' 標籤 , 為未來物聯網社會增添更多想象.
項目負責人趙毅說: '我們團隊研發的這個新器件, 將原來需要一個電路才能做到的工藝, 用一個器件就能實現其功能. 使用面積縮小几十分之一. '
具體研究結果將在6月份的國際超大規模整合電路峰會 (2018 Symposia on VLSI Technology and Circuits) 上發表, 我們拭目以待.
圖文無關
