這兩年, 三星電子, 台積電在半導體工藝上一路狂奔, 雖然有技術之爭但把曾經的領導者Intel遠遠甩在身後已經是不爭的事實.
在美國舉行的三星工藝論壇SFF 2018 USA之上, 三星更是宣布將連續進軍5nm, 4nm, 3nm工藝, 直逼物理極限!
7LPP (7nm Low Power Plus)
三星將在7LPP工藝上 首次應用EUV極紫外光刻技術, 預計今年下半年投產 . 關鍵IP正在研發中, 明年上半年完成.
5LPE (5nm Low Power Early)
在7LPP工藝的基礎上繼續創新改進, 可進一步縮小晶片核心面積, 帶來超低功耗.
4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus)
最後一次應用高度成熟和行業驗證的FinFET立體晶體管技術 , 結合此前5LPE工藝的成熟技術, 晶片面積更小, 性能更高, 可以快速達到高良率量產, 也方便客戶升級.
3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus)
Gate-All-Around就是 環繞柵極 , 相比於現在的FinFET Tri-Gate三柵極設計, 將重新設計晶體管底層結構, 克服當前技術的物理, 性能極限, 增強柵極控制, 性能大大提升.
三星的GAA技術叫做 MBCFET(多橋通道場效應管), 正在使用納米層設備開發之中.
大家可能以為三星的工藝主要用來生產移動處理器等低功耗設備, 但其實在高性能領域, 三星也準備了殺手鐧, 大規模數據中心, AI人工智慧, ML機器學習, 7LPP和後續工藝都能提供服務, 並有一整套平台解決方案.
比如高速的100Gbps+ SerDes(串列轉換解串器), 三星就設計了 2.5D/3D異構封裝技術.
而針對5G, 車聯網領域的低功耗微控制器(MCU), 下代聯網設備, 三星也將提供全套完整的交鑰匙平台方案, 從28/18nm eMRA/RF到10/8nm FinFET任君選擇.
