这两年, 三星电子, 台积电在半导体工艺上一路狂奔, 虽然有技术之争但把曾经的领导者Intel远远甩在身后已经是不争的事实.
在美国举行的三星工艺论坛SFF 2018 USA之上, 三星更是宣布将连续进军5nm, 4nm, 3nm工艺, 直逼物理极限!
7LPP (7nm Low Power Plus)
三星将在7LPP工艺上 首次应用EUV极紫外光刻技术, 预计今年下半年投产 . 关键IP正在研发中, 明年上半年完成.
5LPE (5nm Low Power Early)
在7LPP工艺的基础上继续创新改进, 可进一步缩小芯片核心面积, 带来超低功耗.
4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus)
最后一次应用高度成熟和行业验证的FinFET立体晶体管技术 , 结合此前5LPE工艺的成熟技术, 芯片面积更小, 性能更高, 可以快速达到高良率量产, 也方便客户升级.
3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus)
Gate-All-Around就是 环绕栅极 , 相比于现在的FinFET Tri-Gate三栅极设计, 将重新设计晶体管底层结构, 克服当前技术的物理, 性能极限, 增强栅极控制, 性能大大提升.
三星的GAA技术叫做 MBCFET(多桥通道场效应管), 正在使用纳米层设备开发之中.
大家可能以为三星的工艺主要用来生产移动处理器等低功耗设备, 但其实在高性能领域, 三星也准备了杀手锏, 大规模数据中心, AI人工智能, ML机器学习, 7LPP和后续工艺都能提供服务, 并有一整套平台解决方案.
比如高速的100Gbps+ SerDes(串行转换解串器), 三星就设计了 2.5D/3D异构封装技术.
而针对5G, 车联网领域的低功耗微控制器(MCU), 下代联网设备, 三星也将提供全套完整的交钥匙平台方案, 从28/18nm eMRA/RF到10/8nm FinFET任君选择.
