數據海量爆發, DRAM與NAND需求持續增溫

在萬物即將相連的時代, 大量數據的產生帶動數據中心的蓬勃建置. 放眼未來5-10年, 數據量將繼續呈倍數成長, 重視高傳輸, 低延遲與廣域連接的5G, 以及邊緣運算(edge computing)等運用將成關鍵性技術, 並引領下一波智能科技的發展. 在此基礎架構下, TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出, 除了各式處理晶片與感測器的需求將呈現爆發性成長外, 扮演運算處理(DRAM)與資訊儲存(NAND)功能的記憶體需求也將持續增溫.

在5G架構下, 除了通訊設備或手持設備, 舉凡智能汽車, 智能家庭, 智能城市, 到其他無所不在的智能設備, 都可受惠於5G網路更廣泛且密集的連線服務. 而邊際運算在傳統雲端與終端設備間加入一層運算層, 幫助擷取, 過濾, 彙整並進行即時分析資訊, 並對設備端做出立即回應, 省去所有數據都上傳至雲端的繁瑣程序, 同時也降低數據傳輸所產生的時間遞延與數據儲存成本, 除了與5G技術相輔相成外, 通過AI的學習運算, 數據處理將會率先在端點完成, 以提供更優質的消費者體驗.

DRAMeXchange資深研究協理吳雅婷指出, 高頻寬, 高運算速度的追求, 或省電與耐用度的考量, 亦或是產品的分散與多樣性需求, 都是未來記憶體發展上所將面臨的課題. 除此之外, 由於生產記憶體的製程已逼近物理極限, 供應商如何在未來的五到十年間持續在 'cost down' 的壓力下維持技術創新, 亦將成為巨大商機來臨前的挑戰.

在DRAM領域, 受惠於數據中心的持續建置, 近年來伺服器記憶體的出貨量大幅攀升, 增長速度超越主流產品行動式記憶體. DRAMeXchange預估, 在未來的兩到三年內, 伺服器記憶體將超越行動式記憶體, 成為供貨與需求的主流. 而由於IoT所需的技術設備將逐漸成熟, 代表小容量的利基型記憶體需求也將持續增加; 雖然單機搭載容量偏低, 但由於產品多樣性高, 預計也將消耗可觀的產業晶圓產能.

而在NAND Flash領域, 隨著5G世代帶動智能家庭, 自動駕駛等新興領域持續發展, 擁有計算能力的終端產品數量預期會明顯提升, 也因此帶動中低容量的NAND Flash產品出貨增加. 長期來看, eMMC/UFS產品出貨數量最可能顯著提升. 而針對主流消費產品如筆記型電腦, 智能手機等需求, 由於數據大量增加, 其他零組件規格穩健提升, 加上NAND Flash供應商紛紛擴產且在製程上不斷進步, 每單位容量價格在未來兩到三年內仍有相當可觀的下跌空間, DRAMeXchange認為, 這將有助於存儲容量持續推升, 並不會止步於現有的256/512GB.

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