今年1月, 英特爾與美光共同宣布, 在完成第三代3D NAND Flash研發後, 雙方將開啟各自的研發之路, 並強調雙方目前共同研發的第二代產品為64層3D NAND Flash, 預計第三代將可堆棧96層. 當然, 這也意味著96層以後3D NAND Flash的產品研發, 英特爾將正式與美光分道揚鑣.
那麼, 美光與英特爾在21日的聯合聲明是否是雙方 '最後合作' 的一個句號?
初次合作
英特爾與美光在存儲方面的合作可以追溯到2006年, 雙方合作建立了IM Flash Technologies (IMFT) , 運營新加坡與美國猶他州的工廠. IM Flash孕育的首批產品是72nm NAND. 首度 '分手'
2010年, 美光與英特爾關係變得緊張起來. 兩家公司面臨的爭議是關於英特爾對IM Flash新加坡公司做出的貢獻, 美光CEO指責英特爾沒有為升級新加坡的這個工廠提供必要的資金. 隨後, 英特爾亞太區嵌入式設備銷售和超移動部門的經理Michael Chen辭職, Michael Chen是英特爾在亞太地區與其它公司建立合作關係的一個重要人物.
當時, 業內人士預測英特爾有意停止IM Flash公司的運營, 並且結束與美光科技的合作關係.
2012年, 英特爾把多數IM Flash工廠的股份賣給了美光, 而只保留Lehi這一個據點. 此後, 雙方就開始各自興建自己的生產線.
這也證實了業內人士的猜測, 兩者第一次 '分手' .
這次 '分手' 可以從雙方市場屬性的角度分析, 英特爾只願意將快閃記憶體給自身SSD用, 而美光欲參與全球競爭, 將快閃記憶體賣給更多客戶, 尤其是手機廠商, 這是雙方 '分手' 的主因. 集微網編輯為 '分手' 加了引號, 說明兩者不是完全的決裂.
貌合神離的虐戀
2015年, 英特爾宣布將與美光科技合作, 開發基於3D NAND和3D XPoint技術的3D NAND快閃記憶體晶片. 據公告, 3D XPoint晶片將比現有的NAND晶片快1000倍.
同年, 英特爾宣布花費高達55億美元, 將位於中國大連的微處理器工廠 (Fab 68晶圓廠) 改造為製造NAND存儲器晶片的工廠. 業內人士表示, 英特爾在逐漸降低對IM Flash的依賴.
回心轉意後的再分手
2017年, 英特爾與美光聯合宣布, IM Flash B60晶圓廠已完成擴建工程.
然而, 在2018年初, 雙方宣布在完成第三代3D NAND Flash研發後, 將開啟各自的研發之路. 據業內人士透露, 英特爾很可能將其技術授權給紫光, 以便在與美光終止NAND領域的合作關係後, 迅速在中國生產3D NAND快閃記憶體晶片, 畢竟55億美元大連工廠的投資不是小數目.
這次的分手是英特爾與美光的 '徹底分手' ?
答案是否定的.
英特爾在新聞稿中指出: 兩家公司還將繼續在位於猶他州Lehi的IMFT合資工廠共同開發和製造3D XPoint, 該工廠現在完全專註於3D XPoint存儲器的生產.
先來科普一下3D XPoint, 它是一種非易失性固態存儲新形式, 性能和耐久性比NAND快閃記憶體高得多. 3D XPoint不是基於電子的存儲, 就像快閃記憶體和DRAM一樣, 它不使用晶體管; 它也不是電阻式RAM (ReRAM) 或憶阻器. 因此, 存儲專家認為3D XPoint是一種相變存儲器, 因為美光先前開發了這項技術並且它的特性與3D XPoint非常類似.
舉個例子一起來感受下3D XPoint的誘人, 英特爾首款3D XPoint SSD (P4800X) 可以在16甚至更少的隊列深度執行的速度高達讀取IOPS: 550000, 寫入IOPS: 500000. 雖然英特爾的頂級NAND快閃記憶體SSD能夠實現400000IOPS甚至更高的性能, 但它們只能在更深的隊列深度上才能實現.
但目前看, 3D XPoint也沒有理論中那麼強悍, 速度和耐久性都是NAND快閃記憶體的1000倍還停留在理論階段, 且在價格方面目前看也不是很理想, 根據Gartner預測, 至少到2021年, 英特爾與美光 '徹底分手' 的成本都要高於NAND.
因此, 英特爾與美光的分手是3D NAND方面的, 3D XPoint技術的合作還會繼續進行, 而繼續的原因是沒實現理想目標. 英特爾和美光科技相信3D Xpoint產品可以最終取代PC和伺服器中的傳統固態硬碟和DRAM.
同為3D Xpoint, 英特爾與美光有著不同的品牌, 英特爾稱它為 Optane, 美光稱它為QuantX. 若兩者在3D Xpoint技術上分手, 便可能成為徹底決裂, 不難設想, 那時英特爾會推出專註於個人電腦的Optane, 而美光的QuantX將專註於伺服器.