今年1月, 英特尔与美光共同宣布, 在完成第三代3D NAND Flash研发后, 双方将开启各自的研发之路, 并强调双方目前共同研发的第二代产品为64层3D NAND Flash, 预计第三代将可堆栈96层. 当然, 这也意味着96层以后3D NAND Flash的产品研发, 英特尔将正式与美光分道扬镳.
那么, 美光与英特尔在21日的联合声明是否是双方 '最后合作' 的一个句号?
初次合作
英特尔与美光在存储方面的合作可以追溯到2006年, 双方合作建立了IM Flash Technologies (IMFT) , 运营新加坡与美国犹他州的工厂. IM Flash孕育的首批产品是72nm NAND. 首度 '分手'
2010年, 美光与英特尔关系变得紧张起来. 两家公司面临的争议是关于英特尔对IM Flash新加坡公司做出的贡献, 美光CEO指责英特尔没有为升级新加坡的这个工厂提供必要的资金. 随后, 英特尔亚太区嵌入式设备销售和超移动部门的经理Michael Chen辞职, Michael Chen是英特尔在亚太地区与其它公司建立合作关系的一个重要人物.
当时, 业内人士预测英特尔有意停止IM Flash公司的运营, 并且结束与美光科技的合作关系.
2012年, 英特尔把多数IM Flash工厂的股份卖给了美光, 而只保留Lehi这一个据点. 此后, 双方就开始各自兴建自己的生产线.
这也证实了业内人士的猜测, 两者第一次 '分手' .
这次 '分手' 可以从双方市场属性的角度分析, 英特尔只愿意将闪存给自身SSD用, 而美光欲参与全球竞争, 将闪存卖给更多客户, 尤其是手机厂商, 这是双方 '分手' 的主因. 集微网编辑为 '分手' 加了引号, 说明两者不是完全的决裂.
貌合神离的虐恋
2015年, 英特尔宣布将与美光科技合作, 开发基于3D NAND和3D XPoint技术的3D NAND闪存芯片. 据公告, 3D XPoint芯片将比现有的NAND芯片快1000倍.
同年, 英特尔宣布花费高达55亿美元, 将位于中国大连的微处理器工厂 (Fab 68晶圆厂) 改造为制造NAND存储器芯片的工厂. 业内人士表示, 英特尔在逐渐降低对IM Flash的依赖.
回心转意后的再分手
2017年, 英特尔与美光联合宣布, IM Flash B60晶圆厂已完成扩建工程.
然而, 在2018年初, 双方宣布在完成第三代3D NAND Flash研发后, 将开启各自的研发之路. 据业内人士透露, 英特尔很可能将其技术授权给紫光, 以便在与美光终止NAND领域的合作关系后, 迅速在中国生产3D NAND闪存芯片, 毕竟55亿美元大连工厂的投资不是小数目.
这次的分手是英特尔与美光的 '彻底分手' ?
答案是否定的.
英特尔在新闻稿中指出: 两家公司还将继续在位于犹他州Lehi的IMFT合资工厂共同开发和制造3D XPoint, 该工厂现在完全专注于3D XPoint存储器的生产.
先来科普一下3D XPoint, 它是一种非易失性固态存储新形式, 性能和耐久性比NAND闪存高得多. 3D XPoint不是基于电子的存储, 就像闪存和DRAM一样, 它不使用晶体管; 它也不是电阻式RAM (ReRAM) 或忆阻器. 因此, 存储专家认为3D XPoint是一种相变存储器, 因为美光先前开发了这项技术并且它的特性与3D XPoint非常类似.
举个例子一起来感受下3D XPoint的诱人, 英特尔首款3D XPoint SSD (P4800X) 可以在16甚至更少的队列深度执行的速度高达读取IOPS: 550000, 写入IOPS: 500000. 虽然英特尔的顶级NAND闪存SSD能够实现400000IOPS甚至更高的性能, 但它们只能在更深的队列深度上才能实现.
但目前看, 3D XPoint也没有理论中那么强悍, 速度和耐久性都是NAND闪存的1000倍还停留在理论阶段, 且在价格方面目前看也不是很理想, 根据Gartner预测, 至少到2021年, 英特尔与美光 '彻底分手' 的成本都要高于NAND.
因此, 英特尔与美光的分手是3D NAND方面的, 3D XPoint技术的合作还会继续进行, 而继续的原因是没实现理想目标. 英特尔和美光科技相信3D Xpoint产品可以最终取代PC和服务器中的传统固态硬盘和DRAM.
同为3D Xpoint, 英特尔与美光有着不同的品牌, 英特尔称它为 Optane, 美光称它为QuantX. 若两者在3D Xpoint技术上分手, 便可能成为彻底决裂, 不难设想, 那时英特尔会推出专注于个人电脑的Optane, 而美光的QuantX将专注于服务器.