在5G架構下, 除了通訊或手持設備, 舉凡智能汽車, 智能家庭, 智能城市, 到其他無所不在的智能設備, 都可受惠於5G網路更廣泛且密集的聯機服務. 而邊緣運算在傳統雲端與終端設備間加入一層運算層, 幫助獲取, 過濾, 彙整並進行即時分析資訊, 並對設備端做出立即回應, 省去所有數據都上傳至雲端的繁瑣程序, 同時也降低數據傳輸所產生的時間遞延與數據存儲成本, 除了與5G技術相輔相成外, 透過AI的學習運算, 數據處理將會率先在端點完成, 以提供更優質的消費者體驗.
DRAMeXchange資深研究協理吳雅婷指出, 高頻寬, 高指令周期的追求, 或是省電與耐用度的考慮, 亦或是產品的分散與多樣性需求, 都是未來記憶體發展上所將面臨的課題. 除此之外, 由於生產記憶體的製程已逼近物理極限, 供貨商如何在未來的五到十年間持續在「cost down」的壓力下維持技術創新, 亦將成為巨大商機來臨前的挑戰.
數據中心帶動, 伺服器記憶體成市場主流
在DRAM領域, 受惠於數據中心的持續建設, 近年來伺服器記憶體的出貨量大幅攀升, 增長速度超越主流產品行動式記憶體. DRAMeXchange預估, 在未來的兩到三年內, 伺服器記憶體將超越行動式記憶體, 成為供貨與需求的主流. 而由於IoT所需的技術設備將逐漸成熟, 代表小容量的利基型記憶體需求也將持續增加; 雖然單機搭載容量偏低, 但由於產品多樣性高, 預計也將消耗可觀的產業晶圓產能.
終端設備智能化, NAND Flash需求持續看好
而在NAND Flash領域, 隨著5G世代帶動智能家庭, 自動駕駛等新興領域持續發展, 擁有計算能力的終端產品數量預期會明顯提升, 也因此帶動中低容量的NAND Flash產品出貨增加. 長期來看, eMMC/UFS產品出貨數量最可能顯著提升. 而針對主流消費產品如筆記型電腦, 智能手機等需求, 由於數據大量增加, 其他零組件規格穩健提升, 加上NAND Flash供貨商紛紛擴產且在製程上不斷進步, 每單位容量價格在未來兩到三年內仍有相當可觀的下跌空間, DRAMeXchange認為將有助於存儲容量持續推升, 並不會止步於現有的256/512GB.