在5G架构下, 除了通讯或手持设备, 举凡智能汽车, 智能家庭, 智能城市, 到其他无所不在的智能设备, 都可受惠于5G网络更广泛且密集的联机服务. 而边缘运算在传统云端与终端设备间加入一层运算层, 帮助获取, 过滤, 汇整并进行实时分析信息, 并对设备端做出立即回应, 省去所有数据都上传至云端的繁琐程序, 同时也降低数据传输所产生的时间递延与数据存储成本, 除了与5G技术相辅相成外, 透过AI的学习运算, 数据处理将会率先在端点完成, 以提供更优质的消费者体验.
DRAMeXchange资深研究协理吴雅婷指出, 高带宽, 高指令周期的追求, 或是省电与耐用度的考虑, 亦或是产品的分散与多样性需求, 都是未来内存发展上所将面临的课题. 除此之外, 由于生产内存的制程已逼近物理极限, 供货商如何在未来的五到十年间持续在「cost down」的压力下维持技术创新, 亦将成为巨大商机来临前的挑战.
数据中心带动, 服务器内存成市场主流
在DRAM领域, 受惠于数据中心的持续建设, 近年来服务器内存的出货量大幅攀升, 增长速度超越主流产品行动式内存. DRAMeXchange预估, 在未来的两到三年内, 服务器内存将超越行动式内存, 成为供货与需求的主流. 而由于IoT所需的技术设备将逐渐成熟, 代表小容量的利基型内存需求也将持续增加; 虽然单机搭载容量偏低, 但由于产品多样性高, 预计也将消耗可观的产业晶圆产能.
终端设备智能化, NAND Flash需求持续看好
而在NAND Flash领域, 随着5G世代带动智能家庭, 自动驾驶等新兴领域持续发展, 拥有计算能力的终端产品数量预期会明显提升, 也因此带动中低容量的NAND Flash产品出货增加. 长期来看, eMMC/UFS产品出货数量最可能显著提升. 而针对主流消费产品如笔记本电脑, 智能手机等需求, 由于数据大量增加, 其他零组件规格稳健提升, 加上NAND Flash供货商纷纷扩产且在制程上不断进步, 每单位容量价格在未来两到三年内仍有相当可观的下跌空间, DRAMeXchange认为将有助于存储容量持续推升, 并不会止步于现有的256/512GB.