記憶體模組廠宇瞻科技總經理張家騉表示, NAND快閃記憶體跌價主因來自於市場供過於求, 但雖然各大原廠紛紛推出3D NAND製程, 但良率並未快速拉升, 導致未達規格產品近期在大量出現在市面上, 但長期來看, 隨著3D NAND良率拉高, NAND價格終將是一路往下走, 未來將逐漸降至0.2美元/ GB的價位.
張家騉進一步指出, 以目前的120GB 2.5吋標準品為例, 市場價格的確已經跌無可跌, 進而導致品質疑慮, 且造成其他同業被迫跟進降價的壓力, 不過NAND快閃記憶體價格從過去0.3美元/ GB開始下滑, 現在移動至約0:25美元價位, 但在良率尚未大幅改善前, 若市場報價提前降至0.2美元, 將意味著市場價格面臨超跌.
儘管有業者預期, 在旺季效應發酵下, 第3季NAND快閃記憶體市況可望好轉. 但張家騉認為, 若第2季價格呈現極度超跌下, 則第3季NAND快閃記憶體價格才可望回升, 否則第3季價格將難以上升, 最多是持平表現, 此外, 由於DRAM及快閃記憶體屬於動態備貨, 下遊客戶通常在即將上線前才開始拉貨, 預計手機需求從7〜8月才開始大量顯現, 且在11月之後, NAND價格將會再度下探.
至於DRAM市況相對樂觀, 張家騉先前在法說會上指出, 未來2季DRAM市場沒有看到烏雲. 儘管第2季淡季需求低迷, 張家騉表示, 由於美國, 大陸廠商都有自建伺服器的需求, 因此伺服器記憶體對於2018年DRAM市場價格影響至關重要, 目前看來, 第3季伺服器需求並沒有明顯縮手, 且符合原先預期.
張家騉表示, 雖然從供給面看來, 各大原廠的DRAM新產能持續開出, 不過從投產到符合良率規格, 大約還需要1〜6個月年不等, 2018預計年底以前新產能的影響性有限, DRAM合約價將可望漲到第3季.
不過即使撇除大陸DRAM廠商投產的因素, 張家騉也認為, 隨著各大原廠的產出增加, DRAM價格在第3季過後將可望鬆動, 預計最快11月起, 2019年將開始呈現走跌.