内存模组厂宇瞻科技总经理张家騉表示, NAND闪存跌价主因来自于市场供过于求, 但虽然各大原厂纷纷推出3D NAND制程, 但良率并未快速拉升, 导致未达规格产品近期在大量出现在市面上, 但长期来看, 随着3D NAND良率拉高, NAND价格终将是一路往下走, 未来将逐渐降至0.2美元/ GB的价位.
张家騉进一步指出, 以目前的120GB 2.5吋标准品为例, 市场价格的确已经跌无可跌, 进而导致品质疑虑, 且造成其他同业被迫跟进降价的压力, 不过NAND闪存价格从过去0.3美元/ GB开始下滑, 现在移动至约0:25美元价位, 但在良率尚未大幅改善前, 若市场报价提前降至0.2美元, 将意味着市场价格面临超跌.
尽管有业者预期, 在旺季效应发酵下, 第3季NAND闪存市况可望好转. 但张家騉认为, 若第2季价格呈现极度超跌下, 则第3季NAND闪存价格才可望回升, 否则第3季价格将难以上升, 最多是持平表现, 此外, 由于DRAM及闪存属于动态备货, 下游客户通常在即将上线前才开始拉货, 预计手机需求从7〜8月才开始大量显现, 且在11月之后, NAND价格将会再度下探.
至于DRAM市况相对乐观, 张家騉先前在法说会上指出, 未来2季DRAM市场没有看到乌云. 尽管第2季淡季需求低迷, 张家騉表示, 由于美国, 大陆厂商都有自建伺服器的需求, 因此伺服器内存对于2018年DRAM市场价格影响至关重要, 目前看来, 第3季伺服器需求并没有明显缩手, 且符合原先预期.
张家騉表示, 虽然从供给面看来, 各大原厂的DRAM新产能持续开出, 不过从投产到符合良率规格, 大约还需要1〜6个月年不等, 2018预计年底以前新产能的影响性有限, DRAM合约价将可望涨到第3季.
不过即使撇除大陆DRAM厂商投产的因素, 张家騉也认为, 随着各大原厂的产出增加, DRAM价格在第3季过后将可望松动, 预计最快11月起, 2019年将开始呈现走跌.