美國封殺中興通訊, 日前川普態度又大轉彎, 表示已指示商務部幫助中興通訊儘快恢複業務, 全球砷化鎵大廠股價也跟著跌宕起伏, 然不管政治力如何介入衝擊, 物聯網, 5 G 時代來臨, 各項光通信元件需求一直存在, 需求量甚至更勝以往, 今年100G 規模將逐季成長取代40G 成為主要規格之一, 5 G 應用也將逐漸開展, 車用也加入新需求陣容, 愈到下半年, 需求愈是明顯, 今年起, 砷化鎵產業將是投資人不容忽視的明星產業.
應用面相當廣泛
去年因3 D 感測而聲名大噪的砷化鎵產業, 一度因iPhone X銷售不佳而沉寂, 然事實上, 砷化鎵終端的產品應用相當廣, 甚至擴大來看, 砷化鎵只是三五族化合物半導體中的一環, 其他化合物還包括磷化銦, 銻化鎵等, 依據特性的不同, 應用的領域也不同.
其中, 最廣泛應用在通信產品上的, 就是砷化鎵材料, 這類材料具有高頻, 低雜訊, 高效率及低耗電的特性, 也因此多用於光電和高頻通信用元件, 包括手機, 光纖通信, 衛星通信等微波通信上, 過去幾年, 台灣地區穩懋, 宏捷科, 全新等廠, 都因為手機用P A 元件需求而提高能見度.
然而, 手機在整個砷化鎵材料中, 算是相對低端的應用, 更多是應用在光通信數據中心, 國防, 汽車防撞雷達等利基高端領域, 就連去年蘋果iPhone X採用3 D 感測功能而爆紅的面射型雷射 (VCSEL) , 也是VCSEL眾多應用中, 相對低端的一環, 但手機等消費電子產品的使用量大增, 讓有跨入VCSEL砷化鎵族群紅極一時, 然據了解, 從VCSEL磊晶片到晶圓代工, 封裝的直通率仍偏低, 加上成本高, 都讓3 D 感測的推進面臨小小的逆風, 整個供應鏈中, 目前實際能因3 D 感測而受惠的廠家並不多, 穩懋當然是其中代表.
追本溯源, VCSEL整體製程的直通率偏低, 還是和最上遊的磊晶片生產推進有關. 三五族半導體的磊晶的製程技術主要有三種, 包括LPE, MBE及MOCVD等, LPE雖傳統且較簡單, 但對於較薄磊晶的長成上, LPE較難掌握; MBE的生產技術較為成熟, 良率較容易提升, 但生產成本偏高, 幾家磊晶廠中, IET-KY主采此製程, Finisar也在此製程上和IET合作; MOCVD製程技術困難度高, 但具有成本低的優勢, 可以廣泛應用在手機, 包括IQE, 全新, 聯亞都是採用此製程.
愈上遊技術難度愈高
磊晶片製程中, 磊晶廠在基板上面長很多的薄層, 這其中, 就包含很多的技術, 每一層薄層的生長, 厚度, 成分及摻雜濃度都需要經過磊晶結構設計類比計算, 而基本上, 磊晶片的品質就決定了電子元件的品質, 效能及良率.
半導體生產製程中, 良率愈高, 自然成本降低, 這是自然不過的道理, 然一般半導體業動輒逾九成五的良率, 在三五族半導體領域, 是幾乎不可能的事, 在砷化鎵領域, 高端應用品的良率, 很多廠商恐怕都不及五成, 技術難度高, 有實力跨足這個領域的廠家也就幾根手指頭數得出來.
磊晶片業者就直言, 少數做出來跟不能做是一樣的, 最終要賣出去, 但沒有好的價錢, 也就賣得不好, 砷化鎵市場是零與一的產業, 且目前的情況是, 大家都會碰到瓶頸, 用MOCVD生產的良率都還很低, 而要用大的機器做量產, 則要花很長的時間做, 這是磊晶片廠碰上的產業現況.
族群獲利將進入高成長期
技術進入門檻高加上良率不易提升, 自然繳出來的獲利普遍不會太好看, 但也因為技術進入障礙高, 但終端應用的未來性又多又廣, 族群未來的想像空間也就大, 一旦磊晶片廠的良率出現明顯突破, 獲利也將大躍進, 資本市場願意賦予砷化鎵族群的本益比也就高.
除了3 D 感測外, 三五族半導體的未來應用無限寬廣, 包括物聯網, 汽車防撞雷達, 光纖通信, 光通信Data Center及最快今年底就可逐漸浮現的5 G 手機P A 市場, 甚至是國防軍用等, 各項終端應用已隨著技術成熟而加速導入中, 需求趨勢確實是向上的.
事實上, 國際三五族半導體大廠近年透過整並持續壯大中, 包括IQE合并KOPIN, RFMD, AMS收購Heptagon及Princeton Optotronics, II-VI收購Kaiam Laser之後, 台廠的科納K Y 也在日前被II-VI並下, 大廠併購頻繁, 不管是為了增強技術實力, 還是要增進產能, 其實都是整個產業正要快速從小變大的體現.
如上所提, 由於產業技術難度高, 能跨入這個領域量產的廠家並不多, 日前中興通訊事件影響, 全球砷化鎵族群股價一度重挫, 然隨即在首季業績表現不錯下大漲, 業者指出, 需求一直都在, 但訂單還是在整個供應鏈中移轉, 不會就消失不見, 但最重要的是, 從上遊到下遊的量產能力都在向上推進中, 待上, 中, 下遊的直通率拉高, 整體族群獲利將進入高成長期, 而這很快在下半年就可見到.