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最近一段時間Intel承受了很多爭議乃至非議, 這個即將滿五十周歲的老牌半導體公司似乎要輸給三星, 台積電這些後輩了.
要知道, 台積電當初做代工也是得到了Intel悉心指導的, 沒想到現在被台積電, 三星各種領先, 特別是10nm工藝節點被這兩家甩開.
普通人之所以有這樣的認識, 其實根源在於半導體知識太複雜. Intel在半導體製造領域依然具有極強的實力, 他們的10nm工藝晶體管密度要比三星, 台積電的7nm工藝還要好, 就是難產了點.
在許多人的認知裡, 三星, 台積電超越Intel很大程度上是都被XXnm的數字迷惑了, 表面上看7nm比10nm先進, 10nm比14nm先進, 但背後代表的半導體技術太複雜, 早就不是線寬所能代表的了.
三星, 台積電在16/14nm FinFET節點上第一次超越Intel, 嘗到了營銷上的甜頭, 所以後面的工藝命名有很多營銷成分, 比如16nm優化下就成了12nm工藝, 14nm優化下成了12nm LP工藝, 相比之下Intel只敢叫14nm, 14nm+, 14nm++等等, 要老實很多.
當老實人的代價就是會吃虧, 即便是在10nm節點, 三星, 台積電後面還會衍生出8nm之類的工藝, 讓人看的眼花撩亂, 摸不清來龍去脈.
對於這個問題, Intel早前也表示過他們的無奈, 也反擊過這種衡量工藝的水平, 推出了全新的公式:
在這個公式中, Intel認為衡量半導體工藝的重要指標是 晶體管密度 , 上面具體算的過程大家就不要管了, 反正是行業內認識才會關注的.
在這樣的形勢下, Intel對比其他家公司工藝時就有了優勢了, 去年的製造日會議上, Intel就對比過其他家公司的工藝情況:
14nm工藝的情況
先說14nm工藝, 別看Intel直到現在都在縫縫補補14nm工藝, 但是與其他家對比優勢明顯, 晶體管密度是20nm工藝的134%, 而其他兩家只不過說104%, 109%.
10nm節點工藝對比
10nm節點上, Intel表示他們的10nm工藝晶體管密度達到了100MTr/mm2, 就是每平方毫米1億個晶體管, 是14nm工藝的兩倍多.
那麼與其他家的對比呢? Semiwiki日前討論到了三星的10nm, 8nm以及7nm工藝情況, 其中10nmm工藝的晶體管密度是55.10MTr/mm2, 8mm是64.4MTr/mm2, 7nm工藝也不過101.23MTr/mm2.
原文稱, 三星這個晶體管密度比之前計算的Intel 10nm工藝密度要低, 比Globalfoundries, 台積電的7nm工藝晶體管密度要略高一些.
換句話說, Intel的10nm工藝晶體管密度就相當於三星, 台積電, GF的7nm工藝了, 表面上看落後了一代甚至兩代, 但是Intel在技術指標上實際上要比他們領先.
所以這是不怪Intel鬱悶, 不是他們不努力, 而是對手太狡猾, 先聲奪人在工藝命名上奪得優勢了.
Intel無力回天, 反正那些投資者, 分析師們也不去關注這些技術細節, 問的都是你們的10nm為什麼難產呢?
為什麼難產? Intel也解答不出來, 大概是因為他們懷了一個哪吒吧, 出生時間就要比別人多兩年.
