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最近一段时间Intel承受了很多争议乃至非议, 这个即将满五十周岁的老牌半导体公司似乎要输给三星, 台积电这些后辈了.
要知道, 台积电当初做代工也是得到了Intel悉心指导的, 没想到现在被台积电, 三星各种领先, 特别是10nm工艺节点被这两家甩开.
普通人之所以有这样的认识, 其实根源在于半导体知识太复杂. Intel在半导体制造领域依然具有极强的实力, 他们的10nm工艺晶体管密度要比三星, 台积电的7nm工艺还要好, 就是难产了点.
在许多人的认知里, 三星, 台积电超越Intel很大程度上是都被XXnm的数字迷惑了, 表面上看7nm比10nm先进, 10nm比14nm先进, 但背后代表的半导体技术太复杂, 早就不是线宽所能代表的了.
三星, 台积电在16/14nm FinFET节点上第一次超越Intel, 尝到了营销上的甜头, 所以后面的工艺命名有很多营销成分, 比如16nm优化下就成了12nm工艺, 14nm优化下成了12nm LP工艺, 相比之下Intel只敢叫14nm, 14nm+, 14nm++等等, 要老实很多.
当老实人的代价就是会吃亏, 即便是在10nm节点, 三星, 台积电后面还会衍生出8nm之类的工艺, 让人看的眼花撩乱, 摸不清来龙去脉.
对于这个问题, Intel早前也表示过他们的无奈, 也反击过这种衡量工艺的水平, 推出了全新的公式:
在这个公式中, Intel认为衡量半导体工艺的重要指标是 晶体管密度 , 上面具体算的过程大家就不要管了, 反正是行业内认识才会关注的.
在这样的形势下, Intel对比其他家公司工艺时就有了优势了, 去年的制造日会议上, Intel就对比过其他家公司的工艺情况:
14nm工艺的情况
先说14nm工艺, 别看Intel直到现在都在缝缝补补14nm工艺, 但是与其他家对比优势明显, 晶体管密度是20nm工艺的134%, 而其他两家只不过说104%, 109%.
10nm节点工艺对比
10nm节点上, Intel表示他们的10nm工艺晶体管密度达到了100MTr/mm2, 就是每平方毫米1亿个晶体管, 是14nm工艺的两倍多.
那么与其他家的对比呢? Semiwiki日前讨论到了三星的10nm, 8nm以及7nm工艺情况, 其中10nmm工艺的晶体管密度是55.10MTr/mm2, 8mm是64.4MTr/mm2, 7nm工艺也不过101.23MTr/mm2.
原文称, 三星这个晶体管密度比之前计算的Intel 10nm工艺密度要低, 比Globalfoundries, 台积电的7nm工艺晶体管密度要略高一些.
换句话说, Intel的10nm工艺晶体管密度就相当于三星, 台积电, GF的7nm工艺了, 表面上看落后了一代甚至两代, 但是Intel在技术指标上实际上要比他们领先.
所以这是不怪Intel郁闷, 不是他们不努力, 而是对手太狡猾, 先声夺人在工艺命名上夺得优势了.
Intel无力回天, 反正那些投资者, 分析师们也不去关注这些技术细节, 问的都是你们的10nm为什么难产呢?
为什么难产? Intel也解答不出来, 大概是因为他们怀了一个哪咤吧, 出生时间就要比别人多两年.
