與傳統的磁條卡相比, 金融IC卡通過嵌入卡中的整合電路晶片來存儲數據資訊, 使其具有高安全性, 大存儲容量和多功能的優點, 從而逐步取代傳統的磁條卡. 在中國人民銀行的推動下, EMV (歐陸卡, 萬事達卡, 維薩卡的合稱) 遷移進程正在加速進行.
2015年, 國產純金融IC卡晶片出貨量約600萬顆, 不足國內純金融IC卡晶片市場總量的1%. 隨著國產晶片的技術提升及產品認證完成, 2016年純金融IC卡晶片的國產化進程已加速展開. 預計於2017年, 國產晶片將對金融IC卡領域作出更大貢獻.
2016年, 採用華虹半導體eNVM技術製造的金融IC卡晶片產品分別成功獲得國際權威認證機構頒布的CC EAL5+和EMVCo安全證書, 以及萬事達CQM認證, 證明了華虹半導體的金融IC卡晶片製造工藝技術, 安全管理體系均已達到國際領先水平, 得到國際的肯定和認同, 同時為拓展海內外金融市場打下了良好基礎.
目前, 華虹半導體在成熟0.13微米和0.11微米嵌入式非易失性存儲器(eNVM)工藝技術的基礎上, 秉承技術優勢, 持續升級創新, 成功實現了具有更先進特徵尺寸的90納米eNVM工藝的量產. 該工藝具備穩定性優, 可靠性高, 功耗低等優點, 且相對上一代工藝, 進一步縮小晶片尺寸, 從而為客戶提供技術領先及更具競爭優勢的解決方案.
華虹半導體 (無錫) 一期 (華虹七廠) 樁基工程啟動
華虹半導體(無錫)正在新建一條月產能4萬片的12英寸整合電路生產線, 公司的工藝技術能力將提升至65/55納米技術節點, 現有eNVM技術優勢也勢必向縱深化延伸, 從而為智能卡, 微控制器(MCU), 安全晶片等產品提供極佳的製造解決方案.
無錫基地不僅是華虹集團在上海市域以外布局的第一個製造業項目, 也是國家整合電路產業基金在無錫投資的第一個超大規模整合電路製造項目.
據了解, 華虹無錫整合電路研發和製造基地項目佔地約 700 畝, 總投資 100 億美元, 一期項目總投資約 25 億美元, 新建一條工藝等級 90-65 納米, 月產能約 4 萬片的 12 英寸特色工藝整合電路生產線, 支援 5G 和物聯網等新興領域的應用. 華虹無錫基地項目將分期建設數條 12 英寸整合電路生產線. 首期項目實施後, 將適時啟動第二條生產線建設.
華虹半導體(無錫)有限公司一期工程計劃將於 2019 年上半年完成土建施工, 下半年完成淨化廠房建設和動力機電設備安裝, 通線並逐步實現達產, 預計年產值將達 50 億元.