与传统的磁条卡相比, 金融IC卡通过嵌入卡中的集成电路芯片来存储数据信息, 使其具有高安全性, 大存储容量和多功能的优点, 从而逐步取代传统的磁条卡. 在中国人民银行的推动下, EMV (欧陆卡, 万事达卡, 维萨卡的合称) 迁移进程正在加速进行.
2015年, 国产纯金融IC卡芯片出货量约600万颗, 不足国内纯金融IC卡芯片市场总量的1%. 随着国产芯片的技术提升及产品认证完成, 2016年纯金融IC卡芯片的国产化进程已加速展开. 预计于2017年, 国产芯片将对金融IC卡领域作出更大贡献.
2016年, 采用华虹半导体eNVM技术制造的金融IC卡芯片产品分别成功获得国际权威认证机构颁布的CC EAL5+和EMVCo安全证书, 以及万事达CQM认证, 证明了华虹半导体的金融IC卡芯片制造工艺技术, 安全管理体系均已达到国际领先水平, 得到国际的肯定和认同, 同时为拓展海内外金融市场打下了良好基础.
目前, 华虹半导体在成熟0.13微米和0.11微米嵌入式非易失性存储器(eNVM)工艺技术的基础上, 秉承技术优势, 持续升级创新, 成功实现了具有更先进特征尺寸的90纳米eNVM工艺的量产. 该工艺具备稳定性优, 可靠性高, 功耗低等优点, 且相对上一代工艺, 进一步缩小芯片尺寸, 从而为客户提供技术领先及更具竞争优势的解决方案.
华虹半导体 (无锡) 一期 (华虹七厂) 桩基工程启动
华虹半导体(无锡)正在新建一条月产能4万片的12英寸集成电路生产线, 公司的工艺技术能力将提升至65/55纳米技术节点, 现有eNVM技术优势也势必向纵深化延伸, 从而为智能卡, 微控制器(MCU), 安全芯片等产品提供极佳的制造解决方案.
无锡基地不仅是华虹集团在上海市域以外布局的第一个制造业项目, 也是国家集成电路产业基金在无锡投资的第一个超大规模集成电路制造项目.
据了解, 华虹无锡集成电路研发和制造基地项目占地约 700 亩, 总投资 100 亿美元, 一期项目总投资约 25 亿美元, 新建一条工艺等级 90-65 纳米, 月产能约 4 万片的 12 英寸特色工艺集成电路生产线, 支持 5G 和物联网等新兴领域的应用. 华虹无锡基地项目将分期建设数条 12 英寸集成电路生产线. 首期项目实施后, 将适时启动第二条生产线建设.
华虹半导体(无锡)有限公司一期工程计划将于 2019 年上半年完成土建施工, 下半年完成净化厂房建设和动力机电设备安装, 通线并逐步实现达产, 预计年产值将达 50 亿元.