英特爾在14nm, 10nm工藝上的難產給了其他半導體公司趕超的機會, 由於2019年之前都無法推出10nm晶片, 而三星, 台積電的7nm工藝今年就會量產了, 這一輪競爭中英特爾真的輸了, 哪怕官方多次宣布自家的10nm工藝在性能, 晶體管密度上比其他家的7nm節點還好也沒用了. 在7nm節點, 台積電已經是雄心勃勃, 除了AMD官方提到的7nm Vega晶片之外, 台積電還手握50多個7nm晶片流片, 新工藝性能可提升35%或者功耗降低65%, 未來升級到5nm之後性能還能再提升15%, 功耗降低20%.
EEtimes今天報道了台積電的工藝路線圖, 官方公布了7nm及未來的5nm工藝細節, 首先是第一代7nm工藝, 今年將會量產, 後面還有50多個晶片陸續流片, 涉及到CPU, GPU, AI晶片, 加密貨幣晶片, 網路, 遊戲, 5G, 自動駕駛晶片等等行業.
7nm工藝的性能將提升35%, 或者功耗降低65%, 晶片密度達到3倍水平——原文這裡沒提到是跟誰對比, 不過不可能是10nm, 台積電官網上跟10nm工藝對比的結果是性能提升20%或者功耗降低40%, 晶片密度1.6倍, 因此這裡對比的很可能是台積電的16nm工藝.
第一代7nm工藝沒有使用EUV光刻工藝, N7+節點才會用上EUV光刻機, 不過這個是製造過程的改變, N7+工藝的性能沒什麼變化, 晶體管密度提升大概20%, 功耗降低10%.
此外, N7+工藝雖然目前的良率不錯, 但是還有一些關鍵單元要到今年底或者明年初才能搞定, 完整用於N7+工藝的EDA工具大概要等到8月份.
7nm之後台積電今年還要風險試產5nm工藝, 與最初7nm工藝相比, 台積電的5nm工藝大概能再降低20%的能耗, 晶體管密度再高1.8倍, 至於性能, 預計能提升15%, 不過使用新設備的話可能會提升25%.
按照之前的規劃, 台積電的5nm工藝預計會在2020年量產, 那時候英特爾順利的話可能會進入7nm節點了.