英特尔在14nm, 10nm工艺上的难产给了其他半导体公司赶超的机会, 由于2019年之前都无法推出10nm芯片, 而三星, 台积电的7nm工艺今年就会量产了, 这一轮竞争中英特尔真的输了, 哪怕官方多次宣布自家的10nm工艺在性能, 晶体管密度上比其他家的7nm节点还好也没用了. 在7nm节点, 台积电已经是雄心勃勃, 除了AMD官方提到的7nm Vega芯片之外, 台积电还手握50多个7nm芯片流片, 新工艺性能可提升35%或者功耗降低65%, 未来升级到5nm之后性能还能再提升15%, 功耗降低20%.
EEtimes今天报道了台积电的工艺路线图, 官方公布了7nm及未来的5nm工艺细节, 首先是第一代7nm工艺, 今年将会量产, 后面还有50多个芯片陆续流片, 涉及到CPU, GPU, AI芯片, 加密货币芯片, 网络, 游戏, 5G, 自动驾驶芯片等等行业.
7nm工艺的性能将提升35%, 或者功耗降低65%, 芯片密度达到3倍水平——原文这里没提到是跟谁对比, 不过不可能是10nm, 台积电官网上跟10nm工艺对比的结果是性能提升20%或者功耗降低40%, 芯片密度1.6倍, 因此这里对比的很可能是台积电的16nm工艺.
第一代7nm工艺没有使用EUV光刻工艺, N7+节点才会用上EUV光刻机, 不过这个是制造过程的改变, N7+工艺的性能没什么变化, 晶体管密度提升大概20%, 功耗降低10%.
此外, N7+工艺虽然目前的良率不错, 但是还有一些关键单元要到今年底或者明年初才能搞定, 完整用于N7+工艺的EDA工具大概要等到8月份.
7nm之后台积电今年还要风险试产5nm工艺, 与最初7nm工艺相比, 台积电的5nm工艺大概能再降低20%的能耗, 晶体管密度再高1.8倍, 至于性能, 预计能提升15%, 不过使用新设备的话可能会提升25%.
按照之前的规划, 台积电的5nm工艺预计会在2020年量产, 那时候英特尔顺利的话可能会进入7nm节点了.