台積電, 世界先進GaN製程投片量大增, 將進入收割期

受惠於5G即將邁入商轉及車用電子, 物聯網大勢所趨, 第三代半導體材料氮化鎵與碳化矽 (SiC) 進入快速成長期, 國際IDM大廠高端產品相繼跨入第三代半導體材料製程, 台積電, 世界先進GaN製程投片量大增, 今, 明兩年進入收割期.

台積電與世界先進著手研發GaN製程技術多年, 技術成熟進入量產, 目前台積電6英寸產能開出GaN製程提供德商戴樂格 (Dialog) 產出電源轉接晶片; 而世界先進則與設備材料廠Kyma, 轉投資GaN矽基板廠QROMIS攜手合作, 在去年陸續為電源管理IC客戶開出8英寸產能.

Dialog指出, 以GaN生產電源轉換控制器具備高效率, 體積小, 更高功率優異特性, 帶來全世界最快速的電晶體. 集邦科技旗下拓墣產業研究指出, GaN與SiC除了耐高電壓的特色外, 也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢, 不僅可使晶片面積可大幅減少, 並能簡化周邊電路的設計.