相比三星, 東芝, 美光等公司, 中國現在DRAM記憶體, NAND快閃記憶體技術上要落後多年, 不過中國的科研人員也一直在追趕最新一代技術, 前不久有報道稱中國投資130億元開建PCM相變記憶體, 性能是普通存儲晶片的1000倍, 現在更厲害的來了——複旦大學微電子學院教授張衛, 周鵬帶領的團隊研發了一種新的二維非易失性存儲晶片, 他們使用了半導體結構, 研發的存儲晶片性能優秀, 是傳統二維存儲晶片的100萬倍, 而且性能更長, 刷新時間是記憶體的156倍, 也就是說具備更強的耐用性.
DIY玩家應該知道記憶體, 快閃記憶體各自的優缺點——記憶體速度極快, 但是斷電就會損失數據, 而且成本昂貴, 快閃記憶體的延遲比記憶體高一個量級, 但好處就是能保存數據, 同時成本更低, 所以業界一直在尋找能同時具備記憶體, 快閃記憶體優點的存儲晶片, 也就是能保存數據的同時具備極快的速度.
英特爾研發的3D XPoint快閃記憶體就有類似的特性, 號稱性能是快閃記憶體的1000倍, 耐用性是快閃記憶體的1000倍, 前面新聞提到的PCM相變存儲也是類似的技術, 能夠在斷電時保存數據同時性能類似記憶體, 只不過這些新型存儲晶片現在還沒有達到記憶體, 快閃記憶體這樣成熟的地步.
中國學者研發的存儲晶片也是這個方向的, 根據他們發表在《自然·納米技術》雜誌上的論文來看, 他們研發的存儲晶片使用的不是傳統晶片的場效應管原理, 因為後者在物理尺寸逐漸縮小的情況下會遇到量子效應幹擾, 所以張衛, 周鵬團隊使用的是半浮柵極 (semi-floating gate) 晶體管技術, 他們據此展示一種具有範德·瓦爾斯異質結構的近非易失性半浮柵極結構, 這種新型的存儲晶片具備優異的性能及耐用性.
具體來說, 與DRAM記憶體相比, 它的數據刷新時間是前者的156倍, 也就是能保存更長時間的數據, 同時具備納秒 (ns) 級的寫入速度 (NAND快閃記憶體的延遲一般在毫秒級) , 與傳統二維材料相比其速度快了100萬倍. , 所以這種新型記憶體有望縮小傳統記憶體與快閃記憶體之間的差距.
當然, 這個技術進展還是很不錯的, 只是別指望技術很快量產, 更不可能在未來兩三年內進入市場, 但凡同時具備DRAM, NAND優點的新型存儲晶片都有這個問題, 並沒有成熟到量產上市的地步, 傳統記憶體, 快閃記憶體還有很長的壽命.
