相比三星, 东芝, 美光等公司, 中国现在DRAM内存, NAND闪存技术上要落后多年, 不过中国的科研人员也一直在追赶最新一代技术, 前不久有报道称中国投资130亿元开建PCM相变内存, 性能是普通存储芯片的1000倍, 现在更厉害的来了——复旦大学微电子学院教授张卫, 周鹏带领的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片, 他们使用了半导体结构, 研发的存储芯片性能优秀, 是传统二维存储芯片的100万倍, 而且性能更长, 刷新时间是内存的156倍, 也就是说具备更强的耐用性.
DIY玩家应该知道内存, 闪存各自的优缺点——内存速度极快, 但是断电就会损失数据, 而且成本昂贵, 闪存的延迟比内存高一个量级, 但好处就是能保存数据, 同时成本更低, 所以业界一直在寻找能同时具备内存, 闪存优点的存储芯片, 也就是能保存数据的同时具备极快的速度.
英特尔研发的3D XPoint闪存就有类似的特性, 号称性能是闪存的1000倍, 耐用性是闪存的1000倍, 前面新闻提到的PCM相变存储也是类似的技术, 能够在断电时保存数据同时性能类似内存, 只不过这些新型存储芯片现在还没有达到内存, 闪存这样成熟的地步.
中国学者研发的存储芯片也是这个方向的, 根据他们发表在《自然·纳米技术》杂志上的论文来看, 他们研发的存储芯片使用的不是传统芯片的场效应管原理, 因为后者在物理尺寸逐渐缩小的情况下会遇到量子效应干扰, 所以张卫, 周鹏团队使用的是半浮栅极 (semi-floating gate) 晶体管技术, 他们据此展示一种具有范德·瓦尔斯异质结构的近非易失性半浮栅极结构, 这种新型的存储芯片具备优异的性能及耐用性.
具体来说, 与DRAM内存相比, 它的数据刷新时间是前者的156倍, 也就是能保存更长时间的数据, 同时具备纳秒 (ns) 级的写入速度 (NAND闪存的延迟一般在毫秒级) , 与传统二维材料相比其速度快了100万倍. , 所以这种新型内存有望缩小传统内存与闪存之间的差距.
当然, 这个技术进展还是很不错的, 只是别指望技术很快量产, 更不可能在未来两三年内进入市场, 但凡同时具备DRAM, NAND优点的新型存储芯片都有这个问题, 并没有成熟到量产上市的地步, 传统内存, 闪存还有很长的寿命.
