原標題: 台積電Q1營收同比增長6%: 挖礦客戶轉向7nm, EUV 7nm強化版明年量產
集微網消息, 今日台積電發布了截止3月31日的2018財年第一季度財報. 台積電第一季度合并營收為2480.79億元(新台幣, 下同)(約合84.58億美元), 較上年同期的2339.14億元增長6.1%; 淨利潤為897.85億元(約合30.61億美元), 較上年同期的876.29億元增長2.5%. 折算為12英寸晶圓的晶圓出貨量為26800片, 同比增長8.4%.
與上一季度相比, 台積電營收下滑8.2%, 淨利潤下滑9.6%, 晶圓出貨量持平.
展望Q2, 受智能手機市場需求持續疲軟影響, Q2營收將季減7%~8%, 預計營收將在78億~79億美元之間. 考慮到新台幣兌換美元匯率影響, 預計毛利率從Q1的50.3%下滑至47%~49%, 運營利潤率從Q1的39%下滑到35%~37%.
從產品應用劃分來看, 通訊相關應用營收佔比55%, 季減19%; 工業及標準類IC營收佔比23%, 季減4%; 電腦相關應用營收佔比15%, 季增30%; 消費電子相關應用營收佔比7%, 季增9%.
從工藝節點劃分來看, 10納米晶圓出貨量佔據了總晶圓營收的19%; 16/20納米晶圓佔據了總晶圓營收的22%; 28納米及以上先進工藝晶圓佔據了總晶圓營收的61%. 其中16/20納米和28納米晶圓營收與上一季度基本持平, 本季度的營收下滑主要是由於10納米晶圓的大幅下滑.
結合來看, 台積電本季度營收下滑主要是由於採用10納米晶圓的通訊產品大幅下滑所致. 對此台積電總經理暨共同執行長魏哲家表示, 這是由於去年底以來智能手機市場疲軟, 尤其是高端機型需求不如預期, 此外挖礦需求也存在不確定性. 而這部分應用正是台積電先進工藝晶圓的主要用戶.
受此影響, 魏哲家表示台積電今年以美元計營收將增長約10%, 低於此前預期的10%~15%. 而今年不含存儲部分的整體半導體市場將增長5%, 也低於此前預期的5%~7%. 整體晶圓代工業將增長8%, 低於此前預期的9%~10%.
值得指出的是, 在16日中興受美國制裁後, 傳出對供應鏈的不利影響. 魏哲家表示, 也是剛剛才收到這一資訊, 因此Q2預期沒有將中興事件的影響考慮進去. 他補充說, 目前台積電正在審慎研究中興對供應鏈的後續影響, 但是公司擁有廣泛的客戶群, 預計其對台積電Q2的影響非常有限.
虛擬貨幣一直是近來市場關注的話題, 近期其價格走勢一直呈現波動. 魏哲家指出, 台積電的虛擬貨幣客戶在挖礦領域都發展的很好, 也看到他們正在往AI領域轉型, 而且態勢不錯. 他透露, 虛擬貨幣客戶仍有強勁需求, 且正轉向7納米.
談及7納米, 魏哲家表示, 將按原時程表推進先進位程, 預計7納米下半年快速量產出貨, 到第四季度7納米的營收佔比預計將快速攀升達到20%左右, 全年7納米營收佔比10%左右, 年底預計將有50個客戶採用7納米流片. 在第一季度佔比19%的10納米, 相應地到第四季度將降至個位數百分比. 而今年的資本支出也相應地提升, 達到115億~120億美元, 主要是用於擴充產能和預付EUV設備等.
共同執行長劉德音補充說, 7納米強化版將逐漸導入EUV, 明年會進行少部分量產, 2020年實現大規模量產. 他強調, 由於台積電的先進工藝製程進展及良率提升, 原有28納米客戶正越來越多地採用更先進節點工藝, 向10/7納米轉移.
在台積電南京工廠方面, 目前進展順利. 台積電財務長何麗梅表示, 16/12納米進展順利, 預計4月開始小批量試產, 第一期月產能規模約20000片, 以大陸客戶為主. 此前媒體報道比特大陸將是台積電南京工廠的首位客戶. (校對/範蓉)
2.台積電工程師偷28納米資訊 泄密陸廠遭起訴
近日台積電查獲離職的吳姓工程師於任職期間, 涉嫌竊取28納米製程機密, 打算在離職後飛往中國大陸, 提供挖角他的大陸公司使用, 報請檢調單位偵辦, 新竹檢方4月18日將吳姓工程師依違反營業秘密法與背信罪嫌提起公訴.
據中央社報導, 檢方調查, 吳姓工程師於去年9月任職台積電期間, 非法重製台積電28納米的重要製程相關檔案, 計劃於12月自台積電離職後, 攜出至無錫華潤上華科技任職, 意圖在大陸使用非法重製的台積電營業秘密.
檢方認定, 吳姓工程師涉犯營業秘密法, 意圖在大陸地區使用未經授權重製, 使用及泄漏他人營業秘密罪嫌與背信罪嫌, 對吳姓工程師提起公訴.
台積電錶示, 對於利用不當方法取得技術機密的情事絕不寬容, 將嚴厲保護技術機密.
據中時電子報報導, 檢察官訊問完畢裁定新台幣10萬元交保, 考量他遭大陸挖腳, 另限制居住且限制出境出海.
台積電28納米製程技術, 被視為其主力技術之一, 大陸科技公司不惜大動作挖腳台灣科技人才, 在重金利誘下, 科技人甘願鋌而走險, 去年台積電也有1名徐姓工程師, 大量印製28納米製程被公司抓包, 一審遭判刑1年6月, 緩刑4年. 中央社
3.中國三大存儲器陣營預計於下半年試產
集微網消息, 集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出, 中國存儲器產業目前以投入NAND Flash市場的長江存儲, 專註於行動式記憶體的合肥長鑫, 以及致力於利基型記憶體晉華整合三大陣營為主. 以目前三家廠商的進度來看, 其試產時間預計將在2018年下半年, 隨著三大陣營的量產的時間可能皆落在2019年上半年, 揭示著2019年將成為中國存儲器生產元年.
DRAMeXchange指出, 從三大廠目前布局進度來看, 合肥長鑫的廠房已於去年6月封頂完工, 去年第三季開始移入測試用機台. 合肥長鑫目前進度與晉華整合大致雷同, 試產時程將會落於今年第三季, 量產則暫定在2019年的上半年, 時程較預期落後. 此外, 由於合肥長鑫直攻三大DRAM廠最重要產品之一的LPDDR4 8Gb, 爾後面臨專利爭議的可能性也較高, 為了避免此一狀況, 除了積極累積的專利權外, 初期可能將鎖定於中國銷售.
反觀專註於利基型記憶的晉華整合, 在2016年7月宣佈於福建省晉江市建12英寸廠, 投資金額約53億美元, 以目前進度來看, 其利基型記憶體的試產延後至今年第三季度, 量產時程也將落在明年上半年.
此外, 從中國廠商NAND Flash的發展進程來看, 2016年12月底, 由長江存儲主導的國家存儲器基地正式動土, 官方預期分三階段, 共建立三座3D-NAND Flash廠房. 第一階段廠房已於去年9月完成興建, 預定2018年第三季開始移入機台, 並於第四季進行試產, 初期投片不超過1萬片, 用於生產32層3D-NAND Flash產品, 並預計於自家64層技術成熟後, 再視情況擬定第二, 三期生產計劃.
DRAMeXchange指出, 觀察中國存儲器廠商的研發與產出計劃, 2019年將是中國存儲器產業的生產元年, 但也由於兩家DRAM廠預估初期量產規模並不大, 短期尚不會撼動全球市場現有格局.
長期來看, 隨著中國存儲器產品逐步成熟, 預計2020-2021年兩家DRAM廠商現有工廠將逐步滿載, 在最樂觀的預估下, 屆時兩家合計約有每月25萬片的投片規模, 可能將開始影響全球DRAM市場的供給. 另一方面, 長江存儲計劃設有的三座廠房總產能可能高達每月30萬片, 不排除長江存儲完成64層產品開發後, 可能將進行大規模的投片, 進而在未來三到五年對NAND Flash的供給產生重大影響.
4.ROHM在福岡增建新廠房, 擴大SiC功率器件產能
半導體製造商ROHM決定在ROHM Apollo Co., Ltd. (日本福岡縣) 的筑後工廠增建新廠房, 以因應日漸升高的SiC功率器件生產需求.
該新廠房為地上3層建築, 總建築面積約11,000平方米. 目前正在進行相關細部設計, 預計於2019年動工, 並於2020年竣工完成.
ROHM自2010年開始量產SiC功率器件 (SiC-SBD, SiC-MOSFET) 以來, 領先業界進行各項新技術開發, 是全球第一家進行全SiC功率模組和溝槽結構SiC-MOSFET量產的半導體公司. 在製造方面, ROHM集團也建構了傲人的垂直整合生產體制, 致力於強化晶圓大口徑製程, 並積極導入最新設備來提高生產效率.
目前世界正掀起前所未有的節能浪潮, 業界對於可有效提升能源效率的SiC功率器件充滿期待. 為了滿足日益增加的市場需求, ROHM決定在Apollo筑後工廠增建新廠房, 以提高生產能力.
今後, ROHM集團將持續掌握市場需求, 在強化生產能力的同時, 嚴格貫徹多點生產體制, 庫存管理, 設備防災等措施, 致力於穩定供貨以滿足客戶所需. CITIMES
5.去年半導體封裝材料市場規模167億美元, 未來穩定成長
SEMI (國際半導體產業協會) , 今天與TechSearch International連袂發表報告指出, 2017年全球半導體封裝材料市場規模達167億美元. 未來成長幅度趨於穩定, 將維持個位數成長, 預計2021年材料市場規模將達到178億美元.
SEMI台灣區總裁曹世綸表示, 受智慧型手機與個人電腦等帶動整體產業成長的傳統項目銷售不如預期影響, 半導體材料需求減少, 但在虛擬貨幣的挖礦需求帶動下, 抵銷了整體市場規模下滑程度.
不過, 虛擬貨幣應用對覆晶(flip chip)封裝的強勁需求雖為許多供應商帶來大筆訂單, 但這樣的好景恐無法長久維持.
全球半導體封裝材料市場展望報告(Global Semiconductor Packaging Materials Outlook)顯示, 儘管有車用電子和高效能運算等領域帶動, 持續增加的價格壓力及材料消耗量下滑仍使半導體材料營收未來成長幅度趨於穩定, 將維持個位數成長, 預計2021年材料市場規模將達到178億美元. 呈現個位數成長的材料類別包括導線架(leadframe), 底部填充膠(underfill)和銅線等.
在虛擬貨幣熱潮帶動下, 覆晶基板(laminate substrate)供應商在2017年的營收均有明顯增長, 但隨多晶片模組技術的使用增加, 且封裝趨勢逐漸以扇出型晶圓級封裝技術為主流的影響, 覆晶基板的成長將趨緩, 而介電質(dielectric)和電鍍化學供應商的營收成長將較為強勁. 時報資訊
6.這些 '細節' 讓中國難望頂級光刻機項背
近年來, 中國科技正帶著澎湃動力向前奔跑, 並逐漸進入到跟跑, 並跑, 領跑 '三跑並存' 的階段. 但我們在充滿信心的同時, 還應更加清醒和理性. 與發達國家相比, 我國不少領域關鍵核心技術受制於人, 亟待集中力量奮力攻關.
真正的核心技術靠化緣是要不來的. 我們還有多少亟待攻克的關鍵核心技術, 差距在哪, 需要從哪些方面突破? 本報從今天起, 開闢 '亟待攻克的核心技術' 專欄, 就此進行梳理, 解讀和評析.
指甲蓋大小的晶片, 密布千萬電線, 紋絲不亂, 需要極端精準的照相機——光刻機. 光刻機精度, 決定了晶片的上限. 高精度光刻機產自ASML, 尼康和佳能三家; 頂級光刻機由ASML壟斷.
'十二五' 科技成就展覽上, 上海微電子裝備公司 (SMEE) 生產的中國最好的光刻機, 與中國的大飛機, 登月車並列. 它的加工精度是90納米, 相當於2004年上市的奔騰四CPU的水準. 國外已經做到了十幾納米.
祖傳的磨鏡手藝
光刻機跟照相機差不多, 它的底片, 是塗滿光敏膠的矽片. 電路圖案經光刻機, 縮微投射到底片, 蝕刻掉一部分膠, 露出矽面做化學處理. 製造晶片, 要重複幾十遍這個過程.
位於光刻機中心的鏡頭, 由20多塊鍋底大的鏡片串聯組成. 鏡片得高純度透光材料+高質量拋光. SMEE光刻機使用的鏡片, 得數萬美元一塊.
ASML的鏡片是蔡司技術打底. 鏡片材質做到均勻, 需幾十年到上百年技術積澱.
'同樣一個鏡片, 不同工人去磨, 光潔度相差十倍. ' SMEE總經理賀榮明說, 他在德國看到, 拋光鏡片的工人, 祖孫三代在同一家公司的同一個職位.
另外, 光刻機需要體積小, 但功率高而穩定的光源. ASML的頂尖光刻機, 使用波長短的極紫外光, 光學系統極複雜.
3萬個機械件都要可靠
有頂級的鏡頭和光源, 沒極致的機械精度, 也是白搭. 光刻機裡有兩個同步運動的工件台, 一個載底片, 一個載膠片. 兩者需始終同步, 誤差在2納米以下. 兩個工作台由靜到動, 加速度跟飛彈發射差不多.
賀榮明說: '相當於兩架大飛機從起飛到降落, 始終齊頭並進. 一架飛機上伸出一把刀, 在另一架飛機的米粒上刻字, 不能刻壞了. '
而且, 溫濕度和空氣壓力變化會影響對焦. '機器內部溫度的變化要控制在千分之五度, 得有合適的冷卻方法, 精準的測溫感測器. ' 賀榮明說.
SMEE最好的光刻機, 包含13個分系統, 3萬個機械件, 200多個感測器, 每一個都要穩定. 像歐洲冠軍杯決賽, 任何一個人發揮失常就要輸球. 科技日報