原标题: 台积电Q1营收同比增长6%: 挖矿客户转向7nm, EUV 7nm强化版明年量产
集微网消息, 今日台积电发布了截止3月31日的2018财年第一季度财报. 台积电第一季度合并营收为2480.79亿元(新台币, 下同)(约合84.58亿美元), 较上年同期的2339.14亿元增长6.1%; 净利润为897.85亿元(约合30.61亿美元), 较上年同期的876.29亿元增长2.5%. 折算为12英寸晶圆的晶圆出货量为26800片, 同比增长8.4%.
与上一季度相比, 台积电营收下滑8.2%, 净利润下滑9.6%, 晶圆出货量持平.
展望Q2, 受智能手机市场需求持续疲软影响, Q2营收将季减7%~8%, 预计营收将在78亿~79亿美元之间. 考虑到新台币兑换美元汇率影响, 预计毛利率从Q1的50.3%下滑至47%~49%, 运营利润率从Q1的39%下滑到35%~37%.
从产品应用划分来看, 通讯相关应用营收占比55%, 季减19%; 工业及标准类IC营收占比23%, 季减4%; 电脑相关应用营收占比15%, 季增30%; 消费电子相关应用营收占比7%, 季增9%.
从工艺节点划分来看, 10纳米晶圆出货量占据了总晶圆营收的19%; 16/20纳米晶圆占据了总晶圆营收的22%; 28纳米及以上先进工艺晶圆占据了总晶圆营收的61%. 其中16/20纳米和28纳米晶圆营收与上一季度基本持平, 本季度的营收下滑主要是由于10纳米晶圆的大幅下滑.
结合来看, 台积电本季度营收下滑主要是由于采用10纳米晶圆的通讯产品大幅下滑所致. 对此台积电总经理暨共同执行长魏哲家表示, 这是由于去年底以来智能手机市场疲软, 尤其是高端机型需求不如预期, 此外挖矿需求也存在不确定性. 而这部分应用正是台积电先进工艺晶圆的主要用户.
受此影响, 魏哲家表示台积电今年以美元计营收将增长约10%, 低于此前预期的10%~15%. 而今年不含存储部分的整体半导体市场将增长5%, 也低于此前预期的5%~7%. 整体晶圆代工业将增长8%, 低于此前预期的9%~10%.
值得指出的是, 在16日中兴受美国制裁后, 传出对供应链的不利影响. 魏哲家表示, 也是刚刚才收到这一信息, 因此Q2预期没有将中兴事件的影响考虑进去. 他补充说, 目前台积电正在审慎研究中兴对供应链的后续影响, 但是公司拥有广泛的客户群, 预计其对台积电Q2的影响非常有限.
虚拟货币一直是近来市场关注的话题, 近期其价格走势一直呈现波动. 魏哲家指出, 台积电的虚拟货币客户在挖矿领域都发展的很好, 也看到他们正在往AI领域转型, 而且态势不错. 他透露, 虚拟货币客户仍有强劲需求, 且正转向7纳米.
谈及7纳米, 魏哲家表示, 将按原时程表推进先进制程, 预计7纳米下半年快速量产出货, 到第四季度7纳米的营收占比预计将快速攀升达到20%左右, 全年7纳米营收占比10%左右, 年底预计将有50个客户采用7纳米流片. 在第一季度占比19%的10纳米, 相应地到第四季度将降至个位数百分比. 而今年的资本支出也相应地提升, 达到115亿~120亿美元, 主要是用于扩充产能和预付EUV设备等.
共同执行长刘德音补充说, 7纳米强化版将逐渐导入EUV, 明年会进行少部分量产, 2020年实现大规模量产. 他强调, 由于台积电的先进工艺制程进展及良率提升, 原有28纳米客户正越来越多地采用更先进节点工艺, 向10/7纳米转移.
在台积电南京工厂方面, 目前进展顺利. 台积电财务长何丽梅表示, 16/12纳米进展顺利, 预计4月开始小批量试产, 第一期月产能规模约20000片, 以大陆客户为主. 此前媒体报道比特大陆将是台积电南京工厂的首位客户. (校对/范蓉)
2.台积电工程师偷28纳米信息 泄密陆厂遭起诉
近日台积电查获离职的吴姓工程师于任职期间, 涉嫌窃取28纳米制程机密, 打算在离职后飞往中国大陆, 提供挖角他的大陆公司使用, 报请检调单位侦办, 新竹检方4月18日将吴姓工程师依违反营业秘密法与背信罪嫌提起公诉.
据中央社报导, 检方调查, 吴姓工程师于去年9月任职台积电期间, 非法重制台积电28纳米的重要制程相关文件, 计划于12月自台积电离职后, 携出至无锡华润上华科技任职, 意图在大陆使用非法重制的台积电营业秘密.
检方认定, 吴姓工程师涉犯营业秘密法, 意图在大陆地区使用未经授权重制, 使用及泄漏他人营业秘密罪嫌与背信罪嫌, 对吴姓工程师提起公诉.
台积电表示, 对于利用不当方法取得技术机密的情事绝不宽容, 将严厉保护技术机密.
据中时电子报报导, 检察官讯问完毕裁定新台币10万元交保, 考量他遭大陆挖脚, 另限制居住且限制出境出海.
台积电28纳米制程技术, 被视为其主力技术之一, 大陆科技公司不惜大动作挖脚台湾科技人才, 在重金利诱下, 科技人甘愿铤而走险, 去年台积电也有1名徐姓工程师, 大量印制28纳米制程被公司抓包, 一审遭判刑1年6月, 缓刑4年. 中央社
3.中国三大存储器阵营预计于下半年试产
集微网消息, 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出, 中国存储器产业目前以投入NAND Flash市场的长江存储, 专注于行动式内存的合肥长鑫, 以及致力于利基型内存晋华集成三大阵营为主. 以目前三家厂商的进度来看, 其试产时间预计将在2018年下半年, 随着三大阵营的量产的时间可能皆落在2019年上半年, 揭示着2019年将成为中国存储器生产元年.
DRAMeXchange指出, 从三大厂目前布局进度来看, 合肥长鑫的厂房已于去年6月封顶完工, 去年第三季开始移入测试用机台. 合肥长鑫目前进度与晋华集成大致雷同, 试产时程将会落于今年第三季, 量产则暂定在2019年的上半年, 时程较预期落后. 此外, 由于合肥长鑫直攻三大DRAM厂最重要产品之一的LPDDR4 8Gb, 尔后面临专利争议的可能性也较高, 为了避免此一状况, 除了积极累积的专利权外, 初期可能将锁定于中国销售.
反观专注于利基型记忆的晋华集成, 在2016年7月宣布于福建省晋江市建12英寸厂, 投资金额约53亿美元, 以目前进度来看, 其利基型内存的试产延后至今年第三季度, 量产时程也将落在明年上半年.
此外, 从中国厂商NAND Flash的发展进程来看, 2016年12月底, 由长江存储主导的国家存储器基地正式动土, 官方预期分三阶段, 共建立三座3D-NAND Flash厂房. 第一阶段厂房已于去年9月完成兴建, 预定2018年第三季开始移入机台, 并于第四季进行试产, 初期投片不超过1万片, 用于生产32层3D-NAND Flash产品, 并预计于自家64层技术成熟后, 再视情况拟定第二, 三期生产计划.
DRAMeXchange指出, 观察中国存储器厂商的研发与产出计划, 2019年将是中国存储器产业的生产元年, 但也由于两家DRAM厂预估初期量产规模并不大, 短期尚不会撼动全球市场现有格局.
长期来看, 随着中国存储器产品逐步成熟, 预计2020-2021年两家DRAM厂商现有工厂将逐步满载, 在最乐观的预估下, 届时两家合计约有每月25万片的投片规模, 可能将开始影响全球DRAM市场的供给. 另一方面, 长江存储计划设有的三座厂房总产能可能高达每月30万片, 不排除长江存储完成64层产品开发后, 可能将进行大规模的投片, 进而在未来三到五年对NAND Flash的供给产生重大影响.
4.ROHM在福冈增建新厂房, 扩大SiC功率器件产能
半导体制造商ROHM决定在ROHM Apollo Co., Ltd. (日本福冈县) 的筑后工厂增建新厂房, 以因应日渐升高的SiC功率器件生产需求.
该新厂房为地上3层建筑, 总建筑面积约11,000平方米. 目前正在进行相关细部设计, 预计于2019年动工, 并于2020年竣工完成.
ROHM自2010年开始量产SiC功率器件 (SiC-SBD, SiC-MOSFET) 以来, 领先业界进行各项新技术开发, 是全球第一家进行全SiC功率模组和沟槽结构SiC-MOSFET量产的半导体公司. 在制造方面, ROHM集团也建构了傲人的垂直整合生产体制, 致力于强化晶圆大口径制程, 并积极导入最新设备来提高生产效率.
目前世界正掀起前所未有的节能浪潮, 业界对于可有效提升能源效率的SiC功率器件充满期待. 为了满足日益增加的市场需求, ROHM决定在Apollo筑后工厂增建新厂房, 以提高生产能力.
今后, ROHM集团将持续掌握市场需求, 在强化生产能力的同时, 严格贯彻多点生产体制, 库存管理, 设备防灾等措施, 致力于稳定供货以满足客户所需. CITIMES
5.去年半导体封装材料市场规模167亿美元, 未来稳定成长
SEMI (国际半导体产业协会) , 今天与TechSearch International连袂发表报告指出, 2017年全球半导体封装材料市场规模达167亿美元. 未来成长幅度趋于稳定, 将维持个位数成长, 预计2021年材料市场规模将达到178亿美元.
SEMI台湾区总裁曹世纶表示, 受智慧型手机与个人电脑等带动整体产业成长的传统项目销售不如预期影响, 半导体材料需求减少, 但在虚拟货币的挖矿需求带动下, 抵销了整体市场规模下滑程度.
不过, 虚拟货币应用对覆晶(flip chip)封装的强劲需求虽为许多供应商带来大笔订单, 但这样的好景恐无法长久维持.
全球半导体封装材料市场展望报告(Global Semiconductor Packaging Materials Outlook)显示, 尽管有车用电子和高效能运算等领域带动, 持续增加的价格压力及材料消耗量下滑仍使半导体材料营收未来成长幅度趋于稳定, 将维持个位数成长, 预计2021年材料市场规模将达到178亿美元. 呈现个位数成长的材料类别包括导线架(leadframe), 底部填充胶(underfill)和铜线等.
在虚拟货币热潮带动下, 覆晶基板(laminate substrate)供应商在2017年的营收均有明显增长, 但随多晶片模组技术的使用增加, 且封装趋势逐渐以扇出型晶圆级封装技术为主流的影响, 覆晶基板的成长将趋缓, 而介电质(dielectric)和电镀化学供应商的营收成长将较为强劲. 时报资讯
6.这些 '细节' 让中国难望顶级光刻机项背
近年来, 中国科技正带着澎湃动力向前奔跑, 并逐渐进入到跟跑, 并跑, 领跑 '三跑并存' 的阶段. 但我们在充满信心的同时, 还应更加清醒和理性. 与发达国家相比, 我国不少领域关键核心技术受制于人, 亟待集中力量奋力攻关.
真正的核心技术靠化缘是要不来的. 我们还有多少亟待攻克的关键核心技术, 差距在哪, 需要从哪些方面突破? 本报从今天起, 开辟 '亟待攻克的核心技术' 专栏, 就此进行梳理, 解读和评析.
指甲盖大小的芯片, 密布千万电线, 纹丝不乱, 需要极端精准的照相机——光刻机. 光刻机精度, 决定了芯片的上限. 高精度光刻机产自ASML, 尼康和佳能三家; 顶级光刻机由ASML垄断.
'十二五' 科技成就展览上, 上海微电子装备公司 (SMEE) 生产的中国最好的光刻机, 与中国的大飞机, 登月车并列. 它的加工精度是90纳米, 相当于2004年上市的奔腾四CPU的水准. 国外已经做到了十几纳米.
祖传的磨镜手艺
光刻机跟照相机差不多, 它的底片, 是涂满光敏胶的硅片. 电路图案经光刻机, 缩微投射到底片, 蚀刻掉一部分胶, 露出硅面做化学处理. 制造芯片, 要重复几十遍这个过程.
位于光刻机中心的镜头, 由20多块锅底大的镜片串联组成. 镜片得高纯度透光材料+高质量抛光. SMEE光刻机使用的镜片, 得数万美元一块.
ASML的镜片是蔡司技术打底. 镜片材质做到均匀, 需几十年到上百年技术积淀.
'同样一个镜片, 不同工人去磨, 光洁度相差十倍. ' SMEE总经理贺荣明说, 他在德国看到, 抛光镜片的工人, 祖孙三代在同一家公司的同一个职位.
另外, 光刻机需要体积小, 但功率高而稳定的光源. ASML的顶尖光刻机, 使用波长短的极紫外光, 光学系统极复杂.
3万个机械件都要可靠
有顶级的镜头和光源, 没极致的机械精度, 也是白搭. 光刻机里有两个同步运动的工件台, 一个载底片, 一个载胶片. 两者需始终同步, 误差在2纳米以下. 两个工作台由静到动, 加速度跟导弹发射差不多.
贺荣明说: '相当于两架大飞机从起飞到降落, 始终齐头并进. 一架飞机上伸出一把刀, 在另一架飞机的米粒上刻字, 不能刻坏了. '
而且, 温湿度和空气压力变化会影响对焦. '机器内部温度的变化要控制在千分之五度, 得有合适的冷却方法, 精准的测温传感器. ' 贺荣明说.
SMEE最好的光刻机, 包含13个分系统, 3万个机械件, 200多个传感器, 每一个都要稳定. 像欧洲冠军杯决赛, 任何一个人发挥失常就要输球. 科技日报