< 概要>
全球知名半導體製造商ROHM新開發出兼備業界頂級低傳導損耗※1和高速開關特性的650V耐壓IGBT※2 'RGTV系列 (短路耐受能力※3保持版) ' 和 'RGW系列 (高速開關版) ' , 共21種機型. 這些產品非常適用於UPS (不間斷電源) , 焊接機及功率控制板工業設備, 空調, IH (感應加熱) 等消費電子產品的通用變頻器及轉換器的功率轉換.
此次開發的新系列產品採用薄晶圓技術及ROHM獨有結構, 在具有權衡關係的低導通損耗和高速開關特性方面, 獲得了業界頂級的性能. 例如, 在交錯式PFC電路中使用時, 與以往產品相比, 輕負載時效率提升1.2% , 重負載時效率提升0.3% , 有助於進一步降低應用的功耗. 另外通過元器件內部的優化, 實現了順暢的軟開關. 與同等效率的普通產品相比, 成功減少50%電壓過沖※4, 從而減少以往需要用來對策的部件數量, 可顯著減輕設計負擔.
本系列產品已於2017年10月開始出售樣品 (樣品價格400日元~ /個: 不含稅) , 並於2017年12月開始暫以月產10萬個的規模開始量產. 前期工序的生產基地為藍碧石半導體宮崎株式會社 (日本宮崎縣) , 後期工序的生產基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) (泰國) .
< 背景>
近年來, 隨著IoT進程帶來的數據量増加, 對數據中心高性能化的要求越來越高. 不僅伺服器本身, 包括進行主體電源穩定供給所不可欠缺的UPS等在內, 系統整體的功耗量顯著增加, 進一步降低功耗已成為重要課題.
另外, 在使用IGBT的大功率應用中, 為確保設備的可靠性, 必須對可引發元器件故障或設備誤動作的開關時的過沖採取措施, 簡化需求日益迫切.
1. 實現業界頂級的低傳導損耗和高速開關性能
在本新系列產品中, 利用薄晶圓技術使晶圓厚度比以往產品再薄15% , 另外採用ROHM獨創的單元微細化結構, 成功實現業界頂級的低導通損耗 (VCE(sat)= 1.5V) 和高速開關特性 (tf=30~ 40ns) .
2. 實現軟開關, 減輕設備的設計負擔
通過元器件內部優化, 實現了ON/OFF順暢切換的軟開關. 由此, 開關時產生的電壓過沖與普通產品相比減少了50% , 可減少用來抑制過沖的外置柵極電阻和緩衝電路等部件數量. 使用IGBT時, 應用端不再需要以往需要的過沖對策, 有利於減輕設計負擔.
< 产品阵容>
產品陣容又新增了以 '短路耐受能力保持2μs' 為特點的RGTV系列和以 '高速開關性能' 為特點的RGW系列, 能夠支援更廣泛的應用.
RGTV系列 (短路耐受能力保持版)
RGW系列 (高速開關版)
< 应用> 工業設備 (UPS (不間斷電源) , 焊接機, 功率控制板等) , 空調, IH (感應加熱) 等
< 术语解说> ※1 導通損耗MOSFET和IGBT等晶體管因元器件結構的緣故, 在電流流動時發生電壓下降. 導通損耗是因這種元器件的電壓下降而產生的損耗.
※2 IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor (絕緣柵雙極晶體管) MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低傳導損耗特性兼備的功率晶體管.
※3 短路耐受能力對引起元器件損壞的短路 (電子電路的2點用低阻值的電阻器連接) 的耐受能力.
※4 電壓過沖開關ON/OFF時產生超出規定電壓值的電壓. 電壓值因過沖而暫時超出穩態值, 之後返回到接近穩態值.