< 概要>
全球知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界顶级低传导损耗※1和高速开关特性的650V耐压IGBT※2 'RGTV系列 (短路耐受能力※3保持版) ' 和 'RGW系列 (高速开关版) ' , 共21种机型. 这些产品非常适用于UPS (不间断电源) , 焊接机及功率控制板工业设备, 空调, IH (感应加热) 等消费电子产品的通用变频器及转换器的功率转换.
此次开发的新系列产品采用薄晶圆技术及ROHM独有结构, 在具有权衡关系的低导通损耗和高速开关特性方面, 获得了业界顶级的性能. 例如, 在交错式PFC电路中使用时, 与以往产品相比, 轻负载时效率提升1.2% , 重负载时效率提升0.3% , 有助于进一步降低应用的功耗. 另外通过元器件内部的优化, 实现了顺畅的软开关. 与同等效率的普通产品相比, 成功减少50%电压过冲※4, 从而减少以往需要用来对策的部件数量, 可显著减轻设计负担.
本系列产品已于2017年10月开始出售样品 (样品价格400日元~ /个: 不含税) , 并于2017年12月开始暂以月产10万个的规模开始量产. 前期工序的生产基地为蓝碧石半导体宫崎株式会社 (日本宫崎县) , 后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) (泰国) .
< 背景>
近年来, 随着IoT进程带来的数据量増加, 对数据中心高性能化的要求越来越高. 不仅服务器本身, 包括进行主体电源稳定供给所不可欠缺的UPS等在内, 系统整体的功耗量显著增加, 进一步降低功耗已成为重要课题.
另外, 在使用IGBT的大功率应用中, 为确保设备的可靠性, 必须对可引发元器件故障或设备误动作的开关时的过冲采取措施, 简化需求日益迫切.
1. 实现业界顶级的低传导损耗和高速开关性能
在本新系列产品中, 利用薄晶圆技术使晶圆厚度比以往产品再薄15% , 另外采用ROHM独创的单元微细化结构, 成功实现业界顶级的低导通损耗 (VCE(sat)= 1.5V) 和高速开关特性 (tf=30~ 40ns) .
2. 实现软开关, 减轻设备的设计负担
通过元器件内部优化, 实现了ON/OFF顺畅切换的软开关. 由此, 开关时产生的电压过冲与普通产品相比减少了50% , 可减少用来抑制过冲的外置栅极电阻和缓冲电路等部件数量. 使用IGBT时, 应用端不再需要以往需要的过冲对策, 有利于减轻设计负担.
< 产品阵容>
产品阵容又新增了以 '短路耐受能力保持2μs' 为特点的RGTV系列和以 '高速开关性能' 为特点的RGW系列, 能够支持更广泛的应用.
RGTV系列 (短路耐受能力保持版)
RGW系列 (高速开关版)
< 应用> 工业设备 (UPS (不间断电源) , 焊接机, 功率控制板等) , 空调, IH (感应加热) 等
< 术语解说> ※1 导通损耗MOSFET和IGBT等晶体管因元器件结构的缘故, 在电流流动时发生电压下降. 导通损耗是因这种元器件的电压下降而产生的损耗.
※2 IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor (绝缘栅双极晶体管) MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性兼备的功率晶体管.
※3 短路耐受能力对引起元器件损坏的短路 (电子电路的2点用低阻值的电阻器连接) 的耐受能力.
※4 电压过冲开关ON/OFF时产生超出规定电压值的电压. 电压值因过冲而暂时超出稳态值, 之后返回到接近稳态值.