據張衛教授介紹, 目前半導體電荷存儲技術主要有兩類, 第一類是易失性存儲, 如計算機記憶體, 數據寫入僅需幾納秒左右, 但掉電後數據會立即消失;第二類是非易失性存儲, 如隨身碟, 數據寫入需要幾微秒到幾十微秒, 但無需額外能量可保存10年左右.
在國際上, 存儲設備的 '寫入速度' 和 '非易失性' 兩種特性一直不可兼得, 而兩位教授的研發團隊不僅實現了 '記憶體級' 的讀寫速度, 還在數據存儲時間方面取得了突破.
這種設備的數據保存周期能在10秒至10年之間按需調整. 能夠實現數據有效期截止後自然消失, 解決了特殊場景下數據傳輸與保密要求之間的矛盾.