据张卫教授介绍, 目前半导体电荷存储技术主要有两类, 第一类是易失性存储, 如计算机内存, 数据写入仅需几纳秒左右, 但掉电后数据会立即消失;第二类是非易失性存储, 如U盘, 数据写入需要几微秒到几十微秒, 但无需额外能量可保存10年左右.
在国际上, 存储设备的 '写入速度' 和 '非易失性' 两种特性一直不可兼得, 而两位教授的研发团队不仅实现了 '内存级' 的读写速度, 还在数据存储时间方面取得了突破.
这种设备的数据保存周期能在10秒至10年之间按需调整. 能够实现数据有效期截止后自然消失, 解决了特殊场景下数据传输与保密要求之间的矛盾.