俄羅斯國家研究型核大學國立核能研究大學莫斯科工程物理學院的學者與俄羅斯科學院西伯利亞分院金屬物理研究所的專家合作, 研發出一種能夠提高高頻微型電路操作速率的納米結構.
該納米結構是一種由常用半導體組成的層狀材料. 研究人員挑選了製造新型納米結構的適宜條件: 過渡層結構, 厚度和活躍層的成分, 因此, 結構質量非常高. 在提高材料 '活躍' 導電層中銦含量的情況下, 有助於降低結構中的電子質量, 提高它們的速度, 因此電子儀器的運行也能加快.
不過, 鄰層晶格的機械壓力將因此增強. 物理學家們在逐漸增加活躍層中銦含量的同時, 也增加了厚實的過渡層, 由此解決了上述問題.
