俄罗斯国家研究型核大学国立核能研究大学莫斯科工程物理学院的学者与俄罗斯科学院西伯利亚分院金属物理研究所的专家合作, 研发出一种能够提高高频微型电路操作速率的纳米结构.
该纳米结构是一种由常用半导体组成的层状材料. 研究人员挑选了制造新型纳米结构的适宜条件: 过渡层结构, 厚度和活跃层的成分, 因此, 结构质量非常高. 在提高材料 '活跃' 导电层中铟含量的情况下, 有助于降低结构中的电子质量, 提高它们的速度, 因此电子仪器的运行也能加快.
不过, 邻层晶格的机械压力将因此增强. 物理学家们在逐渐增加活跃层中铟含量的同时, 也增加了厚实的过渡层, 由此解决了上述问题.
