英特尔新制程落后, 2021年或被台积电超车

集微网消息, 研究机构Linley Group发布芯片产业报告指出, 英特尔开发新制程落后, 原有的芯片制造技术优势也几乎荡然无存.

首席分析师Linley Gwennap写说, 英特尔的10纳米制程一再延误, 导致冲刺下一代制程进度现不仅落后给台积电, 三星与其伙伴GlobalFoundries也准备超车.

据悉, 台积电计划于今年6月份开始量产7nm FinFET芯片, 届时台积电将实现7nm芯片100%的市场份额, 而高通, 海思和Xillinx都是台积电的大客户, 7nm这项工艺的收益将在第二季度开始体现.

三星已经完成了7nm制程技术的开发, 并且在这一制程技术中使用了极紫外线曝光设备 (EUV) . 最初, 该公司预计7 纳米制程技术的开发将在2018 年下半年完成, 但是, 未来追赶台积电的脚步, 现在已经提前半年完成. 有消息指出, 高通正准备向三星发送其新移动芯片样品.

报告分析各大厂生产的芯片电路密度, 以及其它工艺技术指标, 结论是其它竞争者所采用的技术水平均已逼近英特尔, 比如台积电的7纳米与英特尔10纳米几乎没有差距. 报告指出, 三大竞争厂商在采购下一代微影技术 (lithography) 设备均比英特尔积极, 不排除三者2021年都将超越英特尔.

英特尔护城河被对手一一攻破, 未来营收展望堪忧. 日前有消息传出, 苹果最快2020年于部分Mac电脑以自家研发的处理器取代英特尔处理器, 恐冲击英特尔营收.

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