據新華社電 近日, 複旦大學微電子學院教授張衛, 周鵬團隊實現了具有顛覆性的二維半導體准非易失存儲原型器件, 開創了第三類存儲技術, 寫入速度比目前U 盤快一萬倍, 數據存儲時間也可自行決定. 這解決了國際半導體電荷存儲技術中 '寫入速度' 與 '非易失性' 難以兼得的難題.
據了解, 目前半導體電荷存儲技術主要有兩類, 第一類是易失性存儲, 例如計算機中的記憶體, 掉電後數據會立即消失; 第二類是非易失性存儲, 例如人們常用的U 盤, 在寫入數據後無需額外能量可保存1 0 年. 前者可在幾納秒左右寫入數據, 第二類電荷存儲技術需要幾微秒到幾十微秒才能把數據保存下來.
此次研發的新型電荷存儲技術, 既滿足了1 0 納秒寫入數據速度, 又實現了按需定製 (1 0 秒- 1 0 年) 的可調控數據准非易失特性. 這種全新特性不僅在高速記憶體中可以極大降低存儲功耗, 同時能實現數據有效期截止後自然消失, 在特殊應用場景解決了保密性和傳輸的矛盾.
這項研究創新性地選擇多重二維材料堆疊構成了半浮柵結構晶體管: 二硫化鉬, 二硒化鎢, 二硫化鉿分別用於開關電荷輸運和儲存, 氮化硼作為隧穿層, 製成階梯能穀結構的範德瓦爾斯異質結. '選擇這幾種二維材料, 將充分發揮二維材料的豐富能帶特性. 一部分如同一道可隨手開關的門, 電子易進難出; 另一部分像一面密不透風的牆, 電子難以進出. 對 '寫入速度' 與 '非易失性' 的調控, 就在於這兩部分的比例. ' 周鵬說.
寫入速度比目前U 盤快一萬倍, 數據刷新時間是記憶體技術的1 5 6 倍, 並且擁有卓越的調控性, 可以實現按照數據有效時間需求設計存儲器結構……經過測試, 研究人員發現這種基於全二維材料的新型異質結能夠實現全新的第三類存儲特性.