据新华社电 近日, 复旦大学微电子学院教授张卫, 周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件, 开创了第三类存储技术, 写入速度比目前U 盘快一万倍, 数据存储时间也可自行决定. 这解决了国际半导体电荷存储技术中 '写入速度' 与 '非易失性' 难以兼得的难题.
据了解, 目前半导体电荷存储技术主要有两类, 第一类是易失性存储, 例如计算机中的内存, 掉电后数据会立即消失; 第二类是非易失性存储, 例如人们常用的U 盘, 在写入数据后无需额外能量可保存1 0 年. 前者可在几纳秒左右写入数据, 第二类电荷存储技术需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来.
此次研发的新型电荷存储技术, 既满足了1 0 纳秒写入数据速度, 又实现了按需定制 (1 0 秒- 1 0 年) 的可调控数据准非易失特性. 这种全新特性不仅在高速内存中可以极大降低存储功耗, 同时能实现数据有效期截止后自然消失, 在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾.
这项研究创新性地选择多重二维材料堆叠构成了半浮栅结构晶体管: 二硫化钼, 二硒化钨, 二硫化铪分别用于开关电荷输运和储存, 氮化硼作为隧穿层, 制成阶梯能谷结构的范德瓦尔斯异质结. '选择这几种二维材料, 将充分发挥二维材料的丰富能带特性. 一部分如同一道可随手开关的门, 电子易进难出; 另一部分像一面密不透风的墙, 电子难以进出. 对 '写入速度' 与 '非易失性' 的调控, 就在于这两部分的比例. ' 周鹏说.
写入速度比目前U 盘快一万倍, 数据刷新时间是内存技术的1 5 6 倍, 并且拥有卓越的调控性, 可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构……经过测试, 研究人员发现这种基于全二维材料的新型异质结能够实现全新的第三类存储特性.