現在的存儲技術有兩種, 一種是以記憶體為代表的易失性存儲, 速度很快, 但斷電後數據就沒有, 無法保存; 另一種是以隨身碟為代表的非易失性存儲, 斷電後依然能夠保存數據, 但缺點就是讀寫速度慢.
複旦大學微電子學院的團隊則研發出了第三種存儲技術, 既能保證超高的讀寫速度, 又能保證斷電後數據不會丟失. 據團隊人員介紹, 基於這項技術製作的存儲元器件, 其寫入速度將會比普通隨身碟快上10000倍.
而且這項技術還有比較厲害的地方, 那就是能夠按需對數據的存儲時長進行調整. 它的原理是, 這種技術採用了多重二維半導體材料, 只要通過對材料比例的控制, 便可以控制寫入速度與斷電數據保留時長的比例.
目前這項技術還僅僅存在於實驗室中, 不過這項技術誕生於中國複旦大學, 看來中國研發已經看齊世界水平.
