现在的存储技术有两种, 一种是以内存为代表的易失性存储, 速度很快, 但断电后数据就没有, 无法保存; 另一种是以U盘为代表的非易失性存储, 断电后依然能够保存数据, 但缺点就是读写速度慢.
复旦大学微电子学院的团队则研发出了第三种存储技术, 既能保证超高的读写速度, 又能保证断电后数据不会丢失. 据团队人员介绍, 基于这项技术制作的存储元器件, 其写入速度将会比普通U盘快上10000倍.
而且这项技术还有比较厉害的地方, 那就是能够按需对数据的存储时长进行调整. 它的原理是, 这种技术采用了多重二维半导体材料, 只要通过对材料比例的控制, 便可以控制写入速度与断电数据保留时长的比例.
目前这项技术还仅仅存在于实验室中, 不过这项技术诞生于中国复旦大学, 看来中国研发已经看齐世界水平.
